[发明专利]真空处理装置和真空处理方法

说明书

技术领域

本发明涉及在真空中对被处理体实施所希望的处理的真空处理装置和真空处理方法，特别是涉及对在与真空处理室之间、在减压下搬送被处理体的真空搬送室内的气氛进行控制的技术。

背景技术

在半导体设备和FPD(平板显示器)的制造中，在真空容器中使用所需要的处理气体进行成膜处理、热处理、干刻处理、清洁处理等各种各样的工艺。例如特开2000-127069号公报和特开平3-87386号公报中记载有用于进行这种真空工艺的装置。在这些装置中，为了不将真空容器或真空处理室开放在大气下而在室内搬入搬出被处理基板(半导体晶片、玻璃基板等)，平时保持减压状态的类型的真空搬送室或者室内能够选择性地切换成大气压状态或减压状态的类型的真空搬送室，通过闸阀与真空处理室连接，该真空搬送室内设置有搬送机械手。

然而，在真空处理装置中，从真空搬送室内的可动部或擦动部等产生的有机物附着在被处理体上的这种有机物污染的问题变得明显化。一般地，被处理体受到有机物污染(吸附)的量在真空中远远多于在大气中。特别是在采用组合设备工具(cluster tool)结构的真空处理装置中，由于系统内的工序数量多，整个处理时间即被处理体滞留时间长，并对应于工艺的高精度化而趋向于高真空度(10^-4Pa以下)的工艺处理，随之真空搬送室的室内也存在保持为例如10mTorr(约1.33Pa)以下的真空压力的情况。但是，真空搬送室的室内越是变得高真空，就越容易在被处理体上附着有机物。

这样的有机物的附着或污染使真空处理室内的成膜处理、蚀刻加工等工艺的可靠性和制造的成品率大大降低。例如产生以下恶劣影响：在栅氧化膜形成中使氧化膜耐压恶化、在接触件(contact)形成中促进自然氧化膜的生长使接触电阻增加、在成膜工艺中因诱导期(incubation time)的增加而使膜厚面内的散乱性增加等。

特别是施于真空密封用时所使用的O型环或轴承等上的润滑脂所产生或飞散的有机物、或从搬送机构(例如搬送带)产生的有机物、或因清洗不良等造成附着在处理室内的各部表面上后放出的有机物，一旦附着在被处理体的表面上，则难以将其去除，此外被处理而的不良区域扩大，如上所述使制造的成品率明显降低。

发明内容

本发明的目的在于提供一种在真空搬送室内尽量使被处理体不受有机物污染的真空处理装置和真空处理方法。

本发明的第一方面的真空处理装置具有：真空搬送室，其室内被保持为减压状态，设置有在室内与邻室之间进行被处理体的搬送的搬送机构；真空处理室，其与上述真空搬送室邻接设置，在减压下的室内对被处理体进行规定的处理；对上述真空搬送室进行真空排气的排气部；将吹扫气体供给上述真空搬送室的吹扫气体供给部；和控制部，其在监视上述真空搬送室内的压力的同时控制由上述吹扫气体供给部供给上述真空搬送室的上述吹扫气体的流量，使得上述真空搬送室内的压力不偏离规定的压力范围。

在上述的第一方面的装置中，即使在真空搬送室内因来自有机物材料等的脱气造成有机物飞散，也可以通过由吹扫气体供给部供给的吹扫气体而稀释，减少对被处理体的附着。特别是在高真空下，有机物对被处理体的附着变得明显，但相反地，利用吹扫气体的流量控制产生的有机物附着量的降低效果也变大。根据本发明优选的一种方式，将压力上限值设定为66.7Pa(500mTorr)以下的值，吹扫气体的流量控制为10sccm以上的设定值。

在上述第一方面的装置中，作为一种方式，与上述真空搬送室邻接设置有负载锁定室。该负载锁定室，其室内能够选择性地切换为大气状态或减压状态，暂时地留置在大气空间与上述真空搬送室之间搬送的被处理体。作为另一种方式，上述真空搬送室被作为负载锁定室而构成。在这种情况下，在负载锁定室内设置有搬送机构，室内能够选择性地切换为大气状态或减压状态。

第二方面的装置具有：真空搬送室，其室内被保持为减压状态，设置有在室内与邻室之间进行被处理体的搬送的搬送机构；真空处理室，其与上述真空搬送室邻接设置，在减压下的室内对被处理体进行规定的处理；负载锁定室，其与上述真空搬送室邻接设置，室内能够选择性地切换为大气状态或减压状态，暂时地留置在大气空间与上述真空搬送室之间搬送的被处理体；对上述负载锁定室进行真空排气的排气部；将吹扫气体供给上述负载锁定室的吹扫气体供给部；和控制部，其在监视上述负载锁定室内的压力的同时控制由上述吹扫气体供给部供给上述负载锁定室的上述吹扫气体的流量，使得上述负载锁定室内的压力不偏离规定的压力范围。