[发明专利]气密密封用盖、电子器件收纳用封装体和气密密封用盖的制造方法

权利要求书

1.一种气密密封用盖，是在包括用于收纳电子器件(10)的电子器件收纳部件(20)的电子器件收纳用封装体中使用的气密密封用盖(1、30)，其特征在于，包括：

基材(2)；

在所述基材的表面上形成的第一镀层(3、31)；和

在所述第一镀层的表面上形成的、比所述第一镀层更难氧化的第二镀层(4、32)，

接合有所述电子器件收纳部件的区域(S2、S6)的内侧的区域(S 1、S5)的所述第二镀层的至少一部分被除去，露出所述第一镀层的表面，并且，在已去除所述第二镀层的区域露出的所述第一镀层的表面被氧化。

2.如权利要求1所述的气密密封用盖，其特征在于：

所述第一镀层为Ni镀层，

所述第二镀层为Au镀层。

3.如权利要求2所述的气密密封用盖，其特征在于：

在接合有所述电子器件收纳部件的区域的所述第一镀层和所述第二镀层的至少一方的表面上，形成有由Au-Sn系合金构成的焊料层(5、33)。

4.如权利要求1～3中任一项所述的气密密封用盖，其特征在于：

俯视地看，所述第一镀层的被露出氧化的区域，形成为环状。

5.如权利要求1～3中任一项所述的气密密封用盖，其特征在于：

在所述第一镀层的被露出氧化的区域的内侧的区域上，形成有所述第二镀层。

6.如权利要求1～3中任一项所述的气密密封用盖，其特征在于：

所述第一镀层的被露出氧化的区域的与接合有所述电子器件收纳部件的区域的边界线构成为：所述气密密封用盖的角部的所述边界线配置在所述气密密封用盖的角部以外的区域的所述边界线的更外侧。

7.如权利要求1～3中任一项所述的气密密封用盖，其特征在于：

所述第一镀层的被露出氧化的区域，形成为具有规定深度(D1)的槽状。

8.一种电子器件收纳用封装体，其特征在于，包括：

气密密封用盖(1、30)；和

由所述气密密封用盖密封，收纳电子器件(10)的所述电子器件收纳部件，其中，

气密密封用盖(1、30)包括：

基材(2)；

在所述基材的表面上形成的第一镀层(3、31)；和

在所述第一镀层的表面上形成的、比所述第一镀层更难氧化的第二镀层(4、32)，

接合有所述电子器件收纳部件(20)的区域(S2、S6)的内侧的区域(S1、S5)的所述第二镀层的至少一部分被除去，露出所述第一镀层的表面，并且，在已去除所述第二镀层的区域露出的所述第一镀层的表面被氧化。

9.一种气密密封用盖的制造方法，是在包括用于收纳电子器件(10)的电子器件收纳部件(20)的电子器件收纳用封装体中使用的气密密封用盖(1、30)的制造方法，其特征在于，包括：

准备基材(2)的工序；

在所述基材的表面上形成第一镀层(3、31)的工序；

在所述第一镀层的表面上形成比所述第一镀层更难氧化的第二镀层(4、32)的工序；和

去除接合有所述电子器件收纳部件的区域(S2、S6)的内侧的区域(S1、S5)的所述第二镀层的至少一部分，露出所述第一镀层的表面，并且对露出的所述第一镀层的表面进行氧化的工序。

10.如权利要求9所述的气密密封用盖的制造方法，其特征在于：

形成所述第一镀层的工序包括形成由Ni镀层构成的所述第一镀层的工序，

形成所述第二镀层的工序包括形成由Au镀层构成的所述第二镀层的工序。

11.如权利要求10所述的气密密封用盖的制造方法，其特征在于：

还包括在接合有所述电子器件收纳部件的区域的所述第二镀层的表面上，熔融、接合由Au-Sn系合金构成的焊料层(5、33)的工序。

12.如权利要求9～11中任一项所述的气密密封用盖的制造方法，其特征在于：

对所述第一镀层的表面进行氧化的工序，包括不对所述第二镀层的接合有所述电子器件收纳部件的区域进行掩模，使用激光，将所述第二镀层的至少一部分去除、露出所述第一镀层的表面的工序。