[发明专利]气密密封用盖、电子器件收纳用封装体和气密密封用盖的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及气密密封用盖(cap)、电子器件收纳用封装体和气密密封用盖的制造方法，特别是有关用于收纳电子器件的气密密封用盖、电子器件收纳用封装体和气密密封用盖的制造方法。

背景技术

现在，已知有电子器件收纳用封装体，如用于对在去除便携式电话杂音等中使用的SAW滤波器(Surface Acoustic Wave filters：表面声波滤波器)、水晶振子和振荡器等的电子器件进行气密密封的SMD(Surface Mount Device：表面安装设备)封装体(表面安装型器件封装体)等。这样的电子器件收纳用封装体，由搭载有电子器件的电子器件收纳部件(箱体)和气密密封电子器件收纳部件的气密密封用盖构成。该气密密封用盖，通过加热使焊料层熔融，与电子器件收纳部件接合。因此，气密密封用盖具有高焊料浸润性的结构，在使用气密密封用盖进行气密密封时，焊料层可能会在气密密封用盖的密封面上浸润扩展。这样，焊料层在气密密封用盖的密封面上浸润扩展的情况下，会出现气密密封用盖和电子器件收纳部件之间的焊料不足，气密性下降的问题。此外，焊料层在气密密封用盖的密封面上向内侧浸润扩展的情况下，存在连接电子器件和电子器件收纳部件的连接线(bonding wire)接触焊料层的问题。此外，在收纳水晶振子和振荡器等电子器件的情况下，由于焊料层在气密密封用盖的密封面上向内侧浸润扩展，浸润扩展的焊料在其内侧飞散，附着在水晶振子和振荡器等电子器件上，而产生电子器件的频率特性变动或恶化的问题。因此，现有技术中提出了一种气密密封用盖，在使用气密密封用盖进行气密密封时，能够抑制焊料层在气密密封用盖的密封面上向内侧浸润扩展。这样的气密密封用盖在例如日本特开平4-96256号公报中已有公开。

上述日本特开平4-96256号公报公开了在接合有电子器件收纳部件的密封面上施以Ni镀，并且在接合有电子器件收纳部件的区域内侧被激光氧化的金属制密封(hermetically-sealed)盖(气密密封用盖)。由于在接合有电子器件收纳部件的区域内侧使用激光氧化该金属制密封盖，在金属制密封盖的被氧化区域，焊料浸润性变低。由此，在使用金属制密封盖气密密封电子器件收纳部件时，能够抑制焊料层在金属制密封盖的密封面上向内侧的浸润扩展。此外，上述日本特开平4-96256号公报中，在金属制密封盖的接合有电子器件收纳部件的区域内侧使用激光进行氧化时，为了抑制金属制密封盖的接合有电子器件收纳部件的区域被氧化，在金属制密封盖的接合有电子器件收纳部件的区域，使用铝板进行掩模。

但是，上述日本特开平4-96256号公报中，由于在金属制密封盖的接合有电子器件收纳部件的区域内侧使用激光进行氧化时，为了抑制金属制密封盖的接合有电子器件收纳部件的区域被氧化，对金属制密封盖的接合有电子器件收纳部件的区域，使用铝板进行掩模，存在必须有掩模形成工序和掩模去除工序的问题。因此，存在制造过程变得复杂的问题。而且，在金属制密封盖的接合有电子器件收纳部件的区域，不使用铝板进行掩模以抑制氧化的情况下，金属制密封盖的接合有电子器件收纳部件的区域的Ni镀层变得容易氧化，从而产生金属制密封盖的接合有电子器件收纳部件的区域的焊料浸润性下降，焊料的接合特性下降的问题。

发明内容

本发明是为了解决上述课题而提出的，本发明的一个目的是提供一种气密密封用盖、电子器件收纳用封装体和气密密封用盖的制造方法，能够抑制制造过程变得复杂，并且能够抑制焊料层在密封面上向内侧浸润扩展。

本发明的第一方面的气密密封用盖是包括用于收纳电子器件的电子器件收纳部件的电子器件收纳用封装体中使用的气密密封用盖，包括：基材；在基材的表面上形成的第一镀层；和在第一镀层的表面上形成的比第一镀层更难氧化的第二镀层，接合有电子器件收纳部件的区域的内侧的区域的第二镀层的至少一部分被去除，露出第一镀层的表面，并且在已去除第二镀层的区域露出的第一镀层的表面被氧化。