[发明专利]层叠结构、使用其的电子元件、其制造方法、电子元件阵列和显示单元有效

专利信息
申请号: 200780001102.3 申请日: 2007-07-19
公开(公告)号: CN101356651A 公开(公告)日: 2009-01-28
发明(设计)人: 田野隆德;铃木幸荣;津田佑辅 申请(专利权)人: 株式会社理光
主分类号: H01L29/786 分类号: H01L29/786;B32B27/16;B32B27/34;C08G73/10;H01L21/28;H01L21/288;H01L21/312;H01L21/336;H01L51/05;H01L51/30
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 宋莉
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 层叠 结构 使用 电子元件 制造 方法 阵列 显示 单元
【说明书】:

技术领域

发明涉及有机晶体管,更具体地说,涉及一种适用于具有有机半导体 层的场效应型有机薄膜晶体管的层叠结构,使用该层叠结构的电子元件如有 机薄膜晶体管、其制造方法、电子元件阵列和显示单元。

背景技术

近年来并且在持续中,正积极地研究使用有机半导体材料的有机薄膜晶 体管。在晶体管中使用有机半导体材料的优点有:灵活、较大的面积、由简 单的层结构带来的工艺简化、以及制造设备便宜。

而且,使用了印刷方法,使得制造成本与常规的基于Si的半导体器件 显著降低。此外,通过使用打印方法、旋涂方法、和浸渍方法可以简单并且 方便地形成薄膜和电路。

表示这种有机薄膜晶体管的性能的参数之一是电流的I/I的比率。在 有机薄膜晶体管中,在饱和区中源/漏电极之间流动的电流(Ids)可以通过下式 (1)表达:

Ids=μCinW(VG-VTH)22L···(1)]]>

其中场效应迁移率为(μ),栅绝缘膜的每单位面积的电容是Cin=εε0/d,其中ε 是栅绝缘膜的相对介电常数,ε0是真空的介电常数,而d是栅绝缘膜的厚度, 信道宽度是(W),信道长度是(L),栅电压是(VG)并且起始电压是(VTH)。

上式表明:为了增加开电流,有效的是:(1)增加迁移率,(2)进一步减 少信道长度,和(3)增加信道宽度。而且,场效应迁移率主要取决于材料性能, 因此,正在开发用于增加迁移率的材料。

同时,信道长度是由元件结构产生的,因此,已经设计元件结构,企图 增加开电流。

通常,通过减少源/漏电极之间的距离(电极间隔)减少信道长度。

有机半导体材料本来没有高的迁移率,因此,要求信道长度不超过 10μm,更优选为5μm或更小。

精确设置源/漏电极之间的短距离的一个方法是照相平版印刷术,该方 法用于Si工艺,包括以下步骤。(1)对具有薄膜层的基板涂布光致抗蚀剂层(抗 蚀剂涂布)。(2)通过加热除去溶剂(预烘干)。(3)用激光束或电子束通过其上 具有图案的硬掩模基于图案数据照射紫外线(曝光)。(4)用碱性溶液除去曝光 的抗蚀剂(显影)。(5)通过加热使未曝光部分(称为图案部分)的抗蚀剂硬化(后 烘干)。(6)浸入蚀刻液中或暴露于蚀刻气体中以除去没有抗蚀剂部分的薄膜 层(蚀刻)。(7)用碱性溶液或氧自由基除去抗蚀剂(抗蚀剂分离)。每次形成薄 膜层之后重复上述步骤,由此完成有效元件。然而,设备昂贵和工艺耗时导 致总成本增加。

同时,正在进行其它努力,以使用喷墨装置通过打印方法形成电极图案, 以便降低成本。

在墨喷打印中,可以直接形成电极图案,因此,材料利用率高。从而, 可以简化制造工艺,并且可以降低成本。然而,由于难以减少喷射墨的量和 机械误差,限制了墨喷打印的喷射精度。因此,难以形成30μm或更低的图 案,并且不能使电极间隔短到5μm。这是指:只用喷墨装置难以制造高精度 的器件。因此,对于获得高精度来说,有些设备是必须的。一种方法是在喷 射墨的表面上进行作业。

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