[发明专利]制造具有不同高度接触线的高密度MOSFET电路的结构和方法

权利要求书

1.一种MOSFET电路，包括：

接触线(500、1300)；

栅极(310、1210)，位于源极和漏极之间，且邻近所述接触线(500、 1300)；

第一金属通路，位于所述接触线之上和所述源极的部分之上；以及

栅绝缘层，位于该栅极与衬底之间以及该接触线与衬底之间，

其中所述接触线(500、1300)包括小于所述栅极(310、1210)高度的 高度。

2.如权利要求1所述的MOSFET电路，还包括：

栅隔离物(710、715、1610、1615)，邻近所述栅极(310、1210)；和

没有位于所述接触线(500、1300)和所述栅极(310、1210)之间的邻 近所述接触线(500、1300)的隔离物。

3.如权利要求1所述的MOSFET电路，还包括：

栅隔离物(710、715、1610、1615)，邻近所述栅极(310、1210)；和

单接触线隔离物(700、1600)，邻近所述接触线(500、1300)，且不位 于所述栅极与所述接触线之间，

其中所述接触线隔离物(700、1600)包括小于所述栅隔离物(710、715、 1610、1615)高度的高度。

4.如权利要求1所述的MOSFET电路，还包括

栅隔离物(710、715、1610、1615)，邻近所述栅极(310、1210)；和

单接触线隔离物(700、1600)，邻近所述接触线(500、1300)，且不位 于所述栅极与所述接触线之间，

其中所述接触线隔离物(700、1600)包括小于所述栅隔离物(710、715、 1610、1615)厚度的厚度。

5.如权利要求1所述的MOSFET电路，其中所述栅极(310、1210)还 包括第一栅层(1130)、位于所述第一栅层(1130)之上和至少一个后续栅 层之下的多晶硅锗栅层1140。

6.一种MOSFET电路，包括：

接触线(500、1300)；和

第一栅层(234、1130)，位于源极和漏极之间，且邻近所述接触线(500、 1300)；

至少一个后续栅层(810、1140)，位于所述第一栅层(234、1130)之 上；

第一金属通路，位于所述接触线之上和所述源极的部分之上；

栅隔离物(710、715、1610、1615)，邻近所述第一栅层(234、1130) 和所述至少一个后续栅层；

绝缘层，位于该第一栅层与衬底之间以及该接触线与衬底之间；和

没有位于所述接触线(500、1300)和所述第一栅层(234、1130)之间 的邻近所述接触线(500、1300)的接触线隔离物，

其中所述接触线(500、1300)包括小于所述第一栅层(234、1130)和 所述至少一个后续栅层的组合高度的高度。

7.如权利要求6所述的MOSFET电路，还包括少于两个的邻近所述接 触线(500、1300)的接触线隔离物，其中所述少于两个的接触线隔离物包 括小于所述栅隔离物(710、715、1610、1615)高度的高度。

8.如权利要求6所述的MOSFET电路，还包括少于两个的邻近所述接 触线(500、1300)的接触线隔离物，其中所述少于两个的接触线隔离物包 括小于所述栅隔离物(710、715、1610、1615)厚度的厚度。

9.如权利要求6所述的MOSFET电路，还包括位于所述第一栅层(1130) 之上和所述至少一个后续栅层之下的多晶硅锗栅层(1140)。