[发明专利]基板处理装置、程序、存储介质和决定是否需要调节的方法无效
申请号: | 200780002100.6 | 申请日: | 2007-07-18 |
公开(公告)号: | CN101365822A | 公开(公告)日: | 2009-02-11 |
发明(设计)人: | 森泽大辅 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44;H01L21/205 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人: | 刘春成 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 装置 程序 存储 介质 决定 是否 需要 调节 方法 | ||
1.一种对被处理基板实施规定的处理的基板处理装置,其特征在于,包括:
收容被处理基板并能够真空排气的腔室;
向所述腔室内供给处理气体和清扫气体的气体供给机构;
对所述腔室内进行排气的排气机构;和
控制在所述腔室内的处理的控制部,其中,
所述控制部进行控制,使得执行包括下述步骤的处理,所述步骤包括:
在所述腔室内实施先行的第一加工工艺的步骤;
在实施所述第一加工工艺之后,实施后继的第二加工工艺的步骤;
在所述第一加工工艺结束后,直至所述第二加工工艺开始为止的期间,基于所述第一加工工艺的信息和所述第二加工工艺的信息决定是否进行调节所述腔室内环境的加工工艺间调节处理的步骤;和
当通过所述进行决定的步骤决定进行加工工艺间调节处理时,在所述第二加工工艺之前,实施加工工艺间调节处理的步骤。
2.如权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于:
所述第一加工工艺的信息和所述第二加工工艺的信息包括基于各加工工艺的种类针对每个类似的加工工艺组预先分配的加工工艺组编号。
3.如权利要求2所述的基板处理装置,其特征在于:
是否进行所述加工工艺间调节处理,通过参照基于所述加工工艺组编号针对是否需要所述加工工艺间调节处理所规定的表而决定。
4.如权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于:
所述加工工艺间调节处理包括:使用清扫气体对所述腔室内进行清洁化的清扫处理;和在该清扫之后在所述腔室内堆积规定的膜的预涂敷处理。
5.如权利要求4所述的基板处理装置,其特征在于:
所述清扫处理和所述预涂敷处理的内容基于所述第二加工工艺而决定。
6.如权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于:
所述规定的处理是用于在被处理基板上形成薄膜的成膜处理。
7.一种在计算机上运行并且控制基板处理装置的程序,其特征在于:
当运行时,通过计算机控制所述基板处理装置,使得进行包括下述步骤的处理,所述步骤包括:
取得在基板处理装置的腔室内先行进行的第一加工工艺的信息的步骤;
取得在所述第一加工工艺后在所述腔室内实施预定的后继的第二加工工艺的信息的步骤;和
基于所述第一加工工艺的信息和所述第二加工工艺的信息决定是否在所述第一加工工艺和所述第二加工工艺之间进行调节所述腔室内环境的加工工艺间调节处理的步骤。
8.如权利要求7所述的程序,其特征在于:
是否进行所述加工工艺间调节处理,通过参照基于根据各加工工艺的种类针对每个类似的加工工艺组预先分配的加工工艺组编号、关于是否需要所述加工工艺间调节处理所规定的表而决定。
9.一种存储介质,其存储有在计算机上运行并且控制基板处理装置的程序,其特征在于:
所述程序在运行时,通过所述计算机控制所述基板处理装置,使得进行包括下述步骤的处理,所述步骤包括:
取得在基板处理装置的腔室内先行进行的第一加工工艺的信息的步骤;
取得在所述第一加工工艺后在所述腔室内实施预定的后继的第二加工工艺的信息的步骤;和
基于所述第一加工工艺的信息和所述第二加工工艺的信息决定是否在所述第一加工工艺和所述第二加工工艺之间进行调节所述腔室内环境的加工工艺间调节处理的步骤。
10.如权利要求9所述的存储介质,其特征在于:
是否进行所述加工工艺间调节处理,通过参照基于根据各加工工艺的种类针对每个类似的加工工艺组预先分配的加工工艺组编号、关于是否需要所述加工工艺间调节处理所规定的表而决定。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的