[发明专利]基板处理装置、程序、存储介质和决定是否需要调节的方法

说明书

技术领域

本发明涉及对半导体晶片等被处理基板进行成膜等处理的基板处理装置、对其腔室内进行调节时能够利用的程序、存储有该程序的存储介质和决定是否需要调节的方法。

背景技术

在半导体集成电路的制造过程中，为了在作为被处理基板的半导体晶片表面形成配线图形或者埋入配线间的连接用的凹部，堆积例如W(钨)、WSi(硅化钨)、Ti(钛)、TiN(氮化钛)、TiSi(硅化钛)、Cu(铜)、Ta₂O₅(氧化钽)等金属或者金属化合物而形成薄膜。

例如，在使用WF₆气体作为含钨气体的钨膜的成膜过程中，为了提高生产率，改善钨膜的埋入性，提出有在初期钨膜形成工序中，使用SiH₄气体、Si₂H₆气体、B₂H₆气体中的任一种气体作为还原气体，在钝化钨膜形成工序和主钨膜形成工序中，作为还原气体改换为H₂气体的成膜方法。(例如，日本特开2004—273764号公报)

在上述日本特开2004—273764号公报所揭示的成膜方法中，与所要求的膜的特性相配合在初期钨膜形成工序中的还原气体优选选自SiH₄气体、Si₂H₆气体、B₂H₆气体，此时，在一个成膜腔室内连续实施针对每个晶片的不同种类的加工工艺。由此，当在一个成膜装置的腔室内连续实施不同种类的加工工艺时，在先行加工工艺中使用后的残留气体或者附着在腔室内的堆积物会对后继加工工艺产生恶劣影响，因此，优选在先行加工工艺和后继加工工艺之间实施清扫。并且，在实施完清扫之后，以后继加工工艺的第一枚晶片和第二枚以后的晶片满足处理条件为目的，在腔室内进行堆积薄膜的预涂敷处理。包括这样的清扫和预涂敷，调节腔室内的环境的处理叫做调节处理，在先行加工工艺和后继加工工艺之间实施的调节处理叫做加工工艺间调节。

现有技术中，是否需要进行加工工艺间调节处理的判断是由工序管理者决定的。因此，当工序管理者判断错误，例如虽然本来应该实施调节处理而没有实施该调节处理的情况下，会对后继加工工艺产生恶劣影响。并且，相反，在尽管不需要实施调节处理但却实施该调节处理的情况下，会降低成膜加工工艺整体的效率。

发明内容

本发明的目的在于提供一种基板处理装置，能够在同一腔室内实施不同种加工工艺的情况下正确地判断是否需要进行加工工艺间调节。

本发明的另一目的在于提供一种在对这种基板处理装置的腔室内进行调节时能够利用的程序和存储有该程序的存储介质。

本发明的又一目的在于提供一种决定是否需要调节的方法，能够正确地判断是否需要进行这样的加工工艺间调节。

根据本发明的的第一观点，提供一种对被处理基板实施规定的处理的基板处理装置，其特征在于，包括：收容被处理基板并能够真空排气的腔室；向上述腔室内供给处理气体和清扫气体的气体供给机构；对上述腔室内进行排气的排气机构；和控制在上述腔室内的处理的控制部，其中，上述控制部进行控制，使得进行包括下述步骤的处理，上述步骤包括：在上述腔室内实施先行的第一加工工艺的步骤；在实施上述第一加工工艺之后，实施后继的第二加工工艺的步骤；在上述第一加工工艺结束后，直至上述第二加工工艺开始为止的期间，基于上述第一加工工艺的信息和上述第二加工工艺的信息决定是否进行调节上述腔室内环境的加工工艺间调节处理的步骤；和当通过上述进行决定的步骤决定进行加工工艺间调节处理时，在上述第二加工工艺之前，实施加工工艺间调节处理的步骤。

在上述第一观点中，上述第一加工工艺的信息和上述第二加工工艺的信息包括基于各加工工艺的种类针对每个类似的加工工艺组预先分配的加工工艺组编号。在该情况下，是否进行上述加工工艺间调节处理，通过参照基于上述加工工艺组编号针对是否需要上述加工工艺间调节处理所规定的表而决定。

并且，上述加工工艺间调节处理包括：使用清扫气体对上述腔室内进行清洁化的清扫处理；和在该清扫之后在上述腔室内堆积规定的膜的预涂敷处理。在该情况下，上述清扫处理和上述预涂敷处理的内容能够基于上述第二加工工艺而决定。

作为上述规定的处理能够举例用于在被处理基板上形成薄膜的成膜处理。