[发明专利]晶片的表面平滑方法和其装置

权利要求书

1.晶片的表面平滑方法，其是将晶片的至少一侧表面进行平滑化 的方法，所述晶片是将半导体晶锭进行切割而得到的晶片，该方法中，

使在晶片的径向上分割的圆环状的各区域中的喷嘴位置和各区域 中的蚀刻状态以及处理后成为标准的晶片形状存储在晶片形状控制手 段中，

使检测上述晶片表面的凸部而得到的检测数据存储在上述晶片形 状控制手段中，

利用存储在上述晶片形状控制手段中的数据来设定平滑化处理的 参数，

一边使喷嘴在晶片的径向上移动，一边根据上述晶片表面的圆环状 的各区域的凸部对旋转状态的晶片应用流体，由此减少该凸部。

2.如权利要求1所述的晶片的表面平滑方法，对于各晶片进行上 述凸部的检测。

3.如权利要求1所述的晶片的表面平滑方法，对于规定数量的各 晶片进行上述凸部的检测。

4.如权利要求1所述的晶片的表面平滑方法，上述凸部的检测使 用预先设定的凸部数据。

5.如权利要求1所述的晶片的表面平滑方法，其中，对于上述晶 片的每一片进行平滑处理。

6.如权利要求1所述的晶片的表面平滑方法，通过控制上述晶片 的旋转状态、上述流体组成、上述流体粘度、上述流体的喷射位置和喷 射位置的移动状态、上述流体的喷射时间的任意的1个以上，来控制在 上述晶片表面上的流体的应用。

7.如权利要求6所述的晶片的表面平滑方法，其中，上述流体为 酸性。

8.权利要求1所述的晶片的表面平滑方法，其中

使检测上述晶片表面的凹凸而得到的检测数据存储在上述晶片形 状控制手段中，

根据上述晶片表面的圆环状的各区域的凹凸对旋转状态的晶片应 用流体，由此将该晶片表面进行平滑化。

9.晶片的表面平滑装置，其是将晶片的至少一侧表面进行平滑化 的装置，所述晶片是将半导体晶锭进行切割而得到的晶片，

该装置具有：

支撑晶片的平台、

使平台旋转驱动的旋转驱动源、

供给流体的喷嘴、

由用于以可移动的方式支撑上述喷嘴的喷嘴基部和用于限制该喷 嘴基部的位置、移动的导杆部构成的喷嘴位置控制手段、

控制流体的喷射状态的喷射状态控制手段、

检测上述晶片表面的凸部的检测手段、和

晶片形状控制手段，该晶片形状控制手段具有存储在晶片的径向上 分割的圆环状的各区域中的喷嘴位置和蚀刻状态的存储器、存储处理后 成为标准的晶片的形状的存储器和存储通过上述检测手段得到的晶片 的表面形状的存储器；

根据各存储器数据设定平滑化处理的参数，向晶片表面供给流体， 从而减少上述凸部。