[发明专利]晶片的表面平滑方法和其装置

说明书

技术领域

本发明涉及晶片的表面平滑方法和其装置。

本申请主张基于2006年1月20日在日本申请的特愿2006-012188 号和2007年1月10日在日本申请的特愿2007-002661号的优先权，这 里引用其内容。

背景技术

现有的半导体晶片的制造方法具有以下的工序：将半导体晶锭切割 而得到晶片的切割工序；在切割的晶片表面进行研磨来除去由切割产生 的表面伤痕或凸凹等的研磨工序，或者为了提高平坦度而进行两面磨削 或者单面磨削的磨削工序；为了除去在这种工序中平坦化的晶片表面的 加工应变层(加工破坏层)，而将晶片浸渍在酸或者碱中进行蚀刻的蚀 刻工序；将蚀刻过的晶片进行抛光的镜面抛光工序。

但是，上述的现有制造方法的各工序有以下的问题。

在磨削工序或者研磨工序中使用的平面磨削虽然对于平坦度提高 有益，但能够引起加工应变层的增大，因此需要在接下来的工序中消除 该加工应变，为此需要增加蚀刻处理量，从而花费处理时间，生产率差。

并且，作为与此近似的技术，有特开平11-135464号公报(专利文 献1)。

发明内容

但是，在不使用晶片的研磨、两面磨削、单面磨削的情况下来控制 晶片的表面形状是不容易的。另外，即使使用上述旋转蚀刻，也难以控 制晶片的表面形状。

即，对于刚切割后的晶片，为了在作为后工序的设备工序中使其平 面度·平坦度·厚度均匀性·表面状态达到没有故障的水平，需要能够 控制在晶片面内的厚度分布·凹凸分布·加工应变层分布的加工方法， 但目前没有这样的加工方法。

作为一个例子，在研磨·磨削中由于机械加工而产生加工应变层， 在不产生这种加工应变层的情况下不能处理晶片表面。

在研磨·磨削中不能仅对例如部分的凸状部分进行加工，不仅效率 差，而且有在晶片整个面上产生加工应变层的可能性。

对于浸渍式的蚀刻，在晶片面内，不能以仅处理凸部这样在面内进   行加工余量的控制，不能进行形状控制，即使平坦度等的表面状态与前   面工序的研磨·磨削相比变差，使其提高也是极其困难的。    

进而，对于上述旋转蚀刻，如上述专利文献1公报的说明书0009 段所述的那样，记述为“使喷射喷嘴在晶片的直径整体的范围进行水平 移动，当一次对晶片的单面整体进行蚀刻时，难以通过调节蚀刻液的供     给量和喷射喷嘴的移动速度来在该整个面上均匀地进行蚀刻”，仅实质 上由如0010段记述的“外周部分31”  “中心部分32”供给蚀刻液，而 将晶片的整个面均匀地进行蚀刻，控制在晶片面内的加工余量分布的构 思即没有记述，也没有启示。另外，如在0015段中“与浸渍式酸蚀刻 相比，加工应变的层的除去不破坏平坦性，且能够非常高精度地进行” 所述的那样，没有利用该旋转蚀刻来积极地提高平面度·平坦度·厚度 均匀性·表面状态的记述。

本发明是鉴于上述事实而作出的，其欲实现以下的目的。

1.减少加工应变层的产生，或者在不产生加工应变层的情况下处 理晶片并减少加工余量，增大从半导体晶锭上切割的晶片的数目，谋求 晶片制造成本的消减。

2.可通过对应于晶片面内的凸的表面状态而应用流体，能在晶片 面内控制加工余量，谋求晶片的平面度·平坦度·厚度均匀性·表面状 态的提高。

本发明的第一方案的晶片的表面平滑方法是将晶片的至少一侧表 面进行平滑化的方法，所述晶片是将半导体晶锭进行切割而得到的晶 片，

该方法的特征在于，通过根据上述晶片表面的凸部而应用流体，来 减少该凸部。

本发明的第二方案的晶片的表面平滑方法是将晶片的至少一侧表 面进行平滑化的方法，所述晶片是将半导体晶锭进行切割而得到的晶 片，

该方法的特征在于，通过在上述晶片表面应用流体，而将该晶片表 面的整体进行平滑化，同时减少该晶片表面的凸部。

本发明的第三方案的晶片的表面平滑方法是将晶片的至少一侧表 面进行平滑化的方法，所述晶片是将半导体晶锭进行切割而得到的晶 片，

该方法的特征在于，通过根据上述晶片表面的凹凸而应用流体，来 将该晶片表面进行平滑化。

本发明的第四方案的晶片的表面平滑装置是将晶片的至少一侧表 面进行平滑化的装置，所述晶片是将半导体晶锭进行切割而得到的晶 片，