[发明专利]具有势垒的隧道晶体管

权利要求书

1.一种晶体管，包括源极(4、24)和漏极(6、29)以及位于源极(4、24)与漏极(6、29)之间的势垒区(16、27)，其中：势垒区通过半导体材料的本征或低掺杂区(26、28)与源极和漏极隔离，并在势垒区与本征或低掺杂区之间的界面处形成肖特基势垒，其中将栅电极(8、32)设置在势垒附近，使得通过向栅电极(8、32)施加适当的电压对势垒的有效高度和/或宽度进行调制。

2.根据权利要求1所述的晶体管，其中：所述势垒区由CoSi₂制成。

3.根据权利要求1所述的晶体管，其中：所述晶体管实现为纳米线(22)。

4.根据权利要求3所述的晶体管，其中：所述纳米线(22)在半导体衬底(23)上生长。

5.根据权利要求3所述的晶体管，其中：所述纳米线(22)具有形成晶体管的源极(24)和漏极(29)的高掺杂端部。

6.根据权利要求3所述的晶体管，其中：所述纳米线(22)的外表面用绝缘层(31)覆盖。

7.根据权利要求6所述的晶体管，其中：在所述绝缘层(31)的表面上沉积形成栅电极(32)的金属层(37)。

8.根据权利要求6所述的晶体管，其中：所述绝缘层(31)是介电层或宽带隙半导体，形成对于栅电极(32)的肖特基势垒。

9.根据权利要求8所述的晶体管，其中：形成对于栅电极(32)的肖特基势垒的宽带隙半导体包含δ掺杂层。