[发明专利]包括半导体不兼容材料的集成电路的制造

权利要求书

1.一种制造集成电路元件，特别是制造既包括半导体电元件(15)又包括非半导体电元件(31)的集成电路的方法，所述方法包括以下步骤：

在衬底(11)上形成半导体不兼容材料(21)层，

使用密封材料(61)密封半导体不兼容材料(21)，和

进一步处理集成电路，其中形成接触电极(81c，81d)以接触包括半导体不兼容材料(21)的元件。

2.根据权利要求1所述的方法，其中在衬底(11)上形成半导体不兼容材料(21)层的步骤包括以下步骤：

在衬底(11)上形成第一金属层(18)，和

在所述第一金属层(18)上形成半导体不兼容材料(21)。

3.根据权利要求2所述的方法，其中在衬底(11)上形成半导体不兼容材料(21)层的步骤进一步包括以下步骤：

在半导体不兼容材料(21)的顶部形成第二金属层(22)。

4.根据权利要求2所述的方法，进一步包括以下步骤：

部分去除半导体不兼容材料(21)使得至少一个隔离岛状物剩余在衬底(11)上。

5.根据权利要求4所述的方法，其中

所述至少一个半导体不兼容材料(21)的隔离岛状物位于第一金属层(18)上，其中

隔离岛状物(21)覆盖比所述第一金属层(18)下面的区域至少略小的区域，其中

隔离岛状物(21)位于第一金属层(18)的侧边定义的二维区域内。

6.根据权利要求3所述的方法，其中密封材料为保护薄膜(61)，特别是氮化物薄膜(61)。

7.根据权利要求6所述的方法，进一步包括以下步骤：

部分地去除保护薄膜(61)。

8.根据权利要求3所述的方法，其中

集成电路包括电容器(31)，由位于第一金属层(18)和第二金属层(22)之间的半导体不兼容材料(21)构建。

9.根据权利要求8所述的方法，其中

电容器为铁电电容器(31)。

10.根据权利要求9所述的方法，其中

半导体不兼容材料为含铅陶瓷(21)，特别是，半导体不兼容材料为锆钛酸铅镧(21)。

11.根据权利要求10所述的方法，其中

电容器(31)表现为对称组件，其中将一种类型的电介质层(21)插入第一金属层(18)和第二金属层(22)之间。

12.一种集成电路元件，特别是应用根据权利要求1至11中任一项所述的方法制造的集成电路元件，所述集成电路元件包括：

衬底(11)，

形成在衬底(11)上的半导体不兼容材料(21)，和

密封半导体不兼容材料(21)的密封材料(61)。

13.根据权利要求12所述的集成电路元件，进一步包括：

直接形成在半导体不兼容材料(21)的下表面上的第一金属层(18)，和

直接形成在半导体不兼容材料(21)的上表面上的第二金属层(22)。

14.根据权利要求13所述的集成电路，其中

半导体不兼容材料为含铅陶瓷(21)，特别是半导体不兼容材料为锆钛酸铅镧(21)。

15.根据权利要求12所述的集成电路元件，进一步包括：

第一半导体电元件(15)，和

包括半导体不兼容材料(21)的第一非半导体电元件(31)。

16.根据权利要求15所述的集成电路，进一步包括：

第二半导体电元件，和/或

第二非半导体电元件。

17.一种集成电路，包括

多个根据权利要求12至16任一项所述的集成电路元件。