[发明专利]填充高纵横比沟槽隔离区的方法和所得的结构

权利要求书

1.一种形成沟槽隔离区的方法，其包括：

在衬底中形成具有第一高度的沟槽；

在所述沟槽的侧壁上形成第一氧化物层；

在所述沟槽的底部上形成外延层，所述外延层具有小于所述第一高度的第二高度；以及

在所述外延层上形成第二氧化物层。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述形成所述第一氧化物层的动作包括：

在所述沟槽的所述底部和侧壁上形成氧化物层；以及

蚀刻所述氧化物层以暴露所述沟槽的所述底部。

3.根据权利要求2所述的方法，其中通过沉积来形成所述沟槽的所述底部和侧壁上的所述氧化物层。

4.根据权利要求2所述的方法，其中通过氧化来形成所述沟槽层的所述底部和侧壁上的所述氧化物层。

5.根据权利要求1所述的方法，其中通过生长外延硅来形成所述外延层。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二高度小于或等于所述沟槽的宽度。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二氧化物层包括高密度等离子体氧化物、高温氧化物和臭氧-TEOS中的一者。

8.根据权利要求7所述的方法，其中通过化学气相沉积来形成所述第二氧化物层。

9.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括使用化学机械抛光来使所述第二氧化物层平坦化。

10.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：

在所述衬底上形成氧化物层；

在所述氧化物层上形成多晶硅层；以及

在所述多晶硅层上形成氮化物层，其中在形成所述沟槽之前，形成所述氧化物层、多晶硅层和氮化物层。

11.一种沟槽隔离区，其包括：

提供于衬底中的沟槽的侧壁上的第一氧化物层；

所述沟槽的底部上的外延层；以及

所述外延层上的第二氧化物层。

12.根据权利要求11所述的沟槽隔离区，其中所述外延层包括外延硅。

13.根据权利要求11所述的沟槽隔离区，其中所述外延层的高度小于或等于所述沟槽的宽度。

14.根据权利要求11所述的沟槽隔离区，其中所述第二氧化物层包括高密度等离子体氧化物、高温氧化物和臭氧-TEOS中的一者。

15.根据权利要求11所述的沟槽隔离区，其中所述沟槽形成于所述衬底中，所述衬底具有在所述衬底上的氧化物层、多晶硅层和氮化物层。

16.一种存储器装置，其包括：

位于衬底中的第一有源区域；

位于所述衬底中的第二有源区域；以及

位于所述第一有源区域与所述第二有源区域之间的沟槽隔离区，所述沟槽隔离区包括：

提供于衬底中的沟槽的侧壁上的第一氧化物层；

所述沟槽的底部上的外延层；以及

所述外延层上的第二氧化物层。

17.根据权利要求16所述的存储器装置，其中所述沟槽隔离区的所述外延层包括外延硅。

18.根据权利要求16所述的存储器装置，其中所述外延层的高度小于或等于所述沟槽的宽度。

19.根据权利要求16所述的存储器装置，其中所述沟槽隔离区的所述第二氧化物层包括高密度等离子体氧化物、高温氧化物和臭氧-TEOS中的一者。

20.根据权利要求16所述的存储器装置，其中所述存储器装置是快闪存储器。

21.一种系统，其包括：

处理器；

存储器装置，其耦合到所述处理器且包括：

位于衬底中的第一有源区域；

位于所述衬底中的第二有源区域；以及

位于所述第一有源区域与所述第二有源区域之间的沟槽隔离区，所述沟槽隔离区包括：

形成于衬底中的沟槽的侧壁上的第一氧化物层；

所述沟槽的底部上的外延层；以及

所述外延层上的第二氧化物层。

22.根据权利要求21所述的系统，其中所述沟槽隔离区的所述外延层包括外延硅。