[发明专利]反射型TFT基板及反射型TFT基板的制造方法

权利要求书

1.一种反射型TFT基板，其特征在于，

具有：基板；形成于所述基板的上方的栅电极及栅配线；形成于所述基板、所述栅电极及所述栅配线的上方的栅绝缘膜；形成于所述栅电极的上方的、所述栅绝缘膜的上方的氧化物层；在所述氧化物层的上方由通道部隔而形成的金属层；与源·漏电极电连接的像素电极，

所述金属层至少作为所述像素电极及与所述像素电极连接的所述源·漏电极发挥作用。

2.根据权利要求1所述的反射型TFT基板，其特征在于，在所述氧化物层与金属层之间，形成了氧化物导体层。

3.根据权利要求1或2所述的反射型TFT基板，其特征在于，所述金属层的反射率在80％以上。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的反射型TFT基板，其特征在于，所述金属层由以铝、银或金制成的薄膜或含有铝、银或金的合金层构成。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的反射型TFT基板，其特征在于，所述反射型TFT基板具备金属层及/或金属薄膜，具有保护所述金属层及/或金属薄膜的金属层保护用氧化物透明导体层。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的反射型TFT基板，其特征在于，所述反射型TFT基板的上方被保护用绝缘膜覆盖，并且所述保护用绝缘膜在与各像素电极、源·漏配线焊盘及栅配线焊盘相对应的位置具有开口部。

7.根据权利要求1～6中任一项所述的反射型TFT基板，其特征在于，所述氧化物层为n型氧化物半导体层。

8.根据权利要求1～7中任一项所述的反射型TFT基板，其特征在于，所述氧化物层形成于与所述通道部、源配线、漏配线、源电极、漏电极及像素电极相对应的规定的位置。

9.根据权利要求1～8中任一项所述的反射型TFT基板，其特征在于，所述氧化物层的能隙在3.0eV以上。

10.一种反射型TFT基板的制造方法，其特征在于，具有：

在基板的上方，使用第一掩模形成栅电极及栅配线的工序；

在所述基板、栅电极及栅配线的上方，层叠栅绝缘膜、氧化物层、金属层及第二抗蚀剂，利用网目曝光，将所述第二抗蚀剂形成为规定的形状的工序；

使用所述第二抗蚀剂，蚀刻所述金属层及氧化物层，形成源配线、漏配线及像素电极的工序；

在再次形成了所述第二抗蚀剂后，使用所述第二抗蚀剂，选择性地蚀刻所述栅电极的上方的所述金属层，形成源电极及漏电极的工序；

在露出了的所述栅绝缘膜及氧化物层的上方，以及在所述源配线、漏配线、源电极、漏电极及像素电极的上方，层叠保护用绝缘膜及第三抗蚀剂，使用第三掩模，将第三抗蚀剂形成为规定的形状的工序；

使用所述第三抗蚀剂，蚀刻所述像素电极及源·漏配线焊盘的上方的所述保护用绝缘膜以及所述栅配线焊盘的上方的所述保护用绝缘膜及栅绝缘膜，使所述像素电极、源·漏配线焊盘及栅配线焊盘露出的工序。

11.根据权利要求10所述的反射型TFT基板的制造方法，其特征在于，在所述氧化物层与金属层之间，层叠氧化物导体层。

12.根据权利要求10或11所述的反射型TFT基板的制造方法，其特征在于，在所述金属层的上方，层叠金属层保护用氧化物透明导体层。

13.根据权利要求10～12中任一项所述的反射型TFT基板的制造方法，其特征在于，在所述栅电极及栅配线的上方，层叠金属层保护用氧化物透明导体层。