[发明专利]反射型TFT基板及反射型TFT基板的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及反射型TFT基板及反射型TFT基板的制造方法。特别是，本发明的反射型TFT基板具备氧化物半导体层、金属层、保护用绝缘膜。氧化物半导体层是TFT(薄膜晶体管)的活性层。金属层在氧化物半导体层上由通道部分隔地形成，并且作为源配线、漏配线、源电极、漏电极及像素电极发挥作用。这样，反射型TFT基板就会长时间稳定地动作。另外，根据本发明，可以削减制造工序而实现制造成本的降低，此外，还可以消除对栅配线之间相互干扰(串扰：crosstalk)的担心。

背景技术

LCD(液晶显示装置)或有机EL显示装置由于显示性能、节能等原因而被广泛地利用。特别是作为携带电话或PDA(个人用携带信息终端)、个人电脑或笔记本型个人电脑、电视等显示装置来说，它们基本上成为主流。这些显示装置中，一般来说使用TFT基板(也包括反射型TFT基板)。

例如，液晶显示装置在TFT基板与对置基板之间填充有液晶等显示材料。另外，该显示材料在每个像素中被选择性地施加电压。这里，TFT基板是配置有由半导体薄膜(也称作半导体膜)等制成的TFT(薄膜晶体管)的基板。一般来说，TFT基板由于以阵列状配置TFT，因此也称作「TFT阵列基板」。

而且，在液晶显示装置等中所用的TFT基板中，在玻璃基板上纵横地配设有TFT与液晶显示装置的画面的一个像素的组(它被称作一个单元)。TFT基板中，在玻璃基板上，例如沿纵向等间隔地配置栅配线，沿横向等间隔地配置源配线或漏配线的一方。另外，在构成各像素的上述单元中，分别设有源配线或漏配线的另一方、栅电极、源电极及漏电极。

<TFT基板的以往的制造方法>

作为该TFT基板的制造方法，通常来说，已知有使用5片掩模的5片掩模工艺、利用网目(halffone)曝光技术而使用4片掩模的4片掩模工艺等。

但是，此种TFT基板的制造方法中，因使用5片或4片掩模，而使得其制造工艺需要很多的工序。例如，4片掩模工艺需要超过35个步骤(工序)的工序，5片掩模工艺需要超过40个步骤(工序)的工序。当像这样工序数增多时，制造材料利用率就有可能降低。另外，当工序数多时，工序就会变得复杂，制造成本也有可能增大。

(使用了5片掩模的制造方法)

图11是用于说明以往例中的TFT基板的制造方法的概略图，(a)表示形成了栅电极的剖面图。(b)表示形成了阻蚀层的剖面图。(c)表示形成了源电极及漏电极的剖面图。(d)表示形成了层间绝缘膜的剖面图。(e)表示形成了像素电极的剖面图。

图11(a)中，在玻璃基板210上，使用第一掩模(未图示)，形成栅电极212。即，首先，在玻璃基板210上，利用溅射堆积金属(例如Al(铝)等)。然后，使用第一掩模利用光刻法形成抗蚀剂。然后，通过以规定的形状蚀刻而形成栅电极212，将抗蚀剂磨光。

然后，如图11(b)所示，在玻璃基板210及栅电极212上，依次层叠由SiN膜(氮化硅膜)构成的栅绝缘膜213及α—Si：H(i)膜214。然后，堆积作为通道保护层的SiN膜(氮化硅膜)。然后，使用第二掩模(未图示)利用光刻法形成抗蚀剂。然后，使用CHF气体将SiN膜干式蚀刻为规定的形状，形成阻蚀层215，将抗蚀剂磨光。

然后，如图11(c)所示，在α—Si：H(i)膜214及阻蚀层215上，堆积α—Si：H(n)膜216。然后，在其上使用真空蒸镀或者溅射法堆积Cr(铬)/Al双层膜。然后，使用第三掩模(未图示)利用光刻法形成抗蚀剂。然后，蚀刻Cr/Al双层膜，形成规定的形状的源电极217a及漏电极217b。此时，对Al进行使用了H₃PO₄—CH₃COOH—HNO₃的热蚀刻，另外，对Cr进行使用了硝酸铈铵水溶液的热蚀刻。然后，对α—Si：H膜(216及214)，进行使用了CHF气体的干式蚀刻、使用了肼水溶液(NH₂NH₂·H₂O)的湿式蚀刻，形成规定的形状的α—Si：H(n)膜216及α—Si：H(i)膜214，将抗蚀剂磨光。

然后，如图11(d)所示，在形成透明电极219之前，在栅绝缘膜213、阻蚀层215、源电极217a及漏电极217b上，堆积层间绝缘膜218。然后，使用第四掩模(未图示)利用光刻法形成抗蚀剂。然后，蚀刻层间绝缘膜218，形成用于将透明电极219与源电极217a电连接的通孔218a，将抗蚀剂磨光。