[发明专利]具有单侧遮盖的封装系统模块有效
申请号: | 200780005307.9 | 申请日: | 2007-02-13 |
公开(公告)号: | CN101496161A | 公开(公告)日: | 2009-07-29 |
发明(设计)人: | 赫姆·塔基阿尔;沃伦·米德尔考夫;罗伯特·C·米勒 | 申请(专利权)人: | 桑迪士克股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/04 | 分类号: | H01L23/04;G06K19/077 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 刘国伟 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 遮盖 封装 系统 模块 | ||
1.一种用于接纳单侧遮盖的半导体封装,所述半导体封装包含:
第一表面,在接纳所述遮盖后所述第一表面预期被所述遮盖完全覆盖;
第二表面,其与所述第一表面相对,在接纳所述遮盖后所述第二表面预期保持未 被覆盖,所述第二表面包括用于将所述封装与主机装置电连接的接触指;
第一边缘,其在所述第一表面与所述第二表面之间延伸;及
第二边缘,其与所述第一边缘相对且在所述第一表面与所述第二表面之间延伸;
所述第一边缘及所述第二边缘具有一形状,所述形状界定在所述第一表面处垂直 处于所述第一边缘与所述第二边缘之间的第一距离,所述第一距离大于在所述第二 表面处垂直处于所述第一边缘与所述第二边缘之间的第二距离。
2.根据权利要求1所述的半导体封装,其中所述第一边缘及所述第二边缘的所述形状 包括梯形,所述梯形从所述第一表面处到所述第二表面处由宽逐渐变窄。
3.根据权利要求1所述的半导体封装,其中所述第一边缘及所述第二边缘的所述形状 包括阶梯形,所述阶梯形从所述第一表面处到所述第二表面处由宽逐步变窄。
4.根据权利要求1所述的半导体封装,其中所述半导体封装是闪速存储器半导体封 装。
5.一种形成闪速存储器的方法,所述方法包含如下步骤:
a)在面板上形成多个集成电路;
b)利用模制化合物来囊封所述多个集成电路;
c)从所述面板中分割出多个半导体封装,所述多个半导体封装中的一个半导体 封装包括在所述半导体封装的第一与第二对置表面之间延伸的第一与第二对置边 缘;
d)在步骤b)或c)中界定所述第一与第二对置边缘的形状,使得所述第一表面在 所述第一边缘与所述第二边缘之间具有大于所述第二表面的直径,所述第二表面包 括用于将所述封装与主机装置电连接的接触指;及
e)将遮盖贴附到所述半导体封装的所述第一表面,其中所述第一表面被所述遮 盖完全覆盖,所述第一边缘与所述第二边缘的所述形状能够在所述遮盖上施加力, 所述力抵抗所述遮盖与半导体封装的分离。
6.根据权利要求5所述的方法,其中所述界定所述第一与第二对置边缘的形状的步骤 d)包含在所述第一与第二对置边缘中界定梯形的步骤,所述梯形从所述第一表面 处到所述第二表面处由宽逐渐变窄。
7.根据权利要求5所述的方法,其中所述界定所述第一与第二对置边缘的形状的步骤 d)包含在所述第一与第二对置边缘中界定阶梯形的步骤,所述阶梯形从所述第一 表面处到所述第二表面处由宽逐步变窄。
8.根据权利要求7所述的方法,其中所述利用模制化合物囊封所述多个集成电路的步 骤b)包括将所述面板定位在第一板与第二板之间的步骤,所述第一板包括用于在 所述第一与第二对置边缘中界定所述阶梯形的突起物。
9.根据权利要求5所述的方法,其中所述界定所述第一与第二对置边缘的形状的步骤 d)作为所述利用模制化合物囊封所述多个集成电路的步骤b)的一部分而执行。
10.根据权利要求6所述的方法,其中所述利用模制化合物囊封所述多个集成电路的步 骤b)包括将所述面板定位在第一板与第二板之间的步骤,所述第一板包括用于界 定所述步骤d)的所述梯形的突起物。
11.根据权利要求5所述的方法,其中所述界定所述第一与第二对置边缘的形状的步骤 d)作为所述从所述面板中分割出多个半导体封装的步骤c)的一部分而执行。
12.根据权利要求5所述的方法,其中所述从所述面板中分割出所述多个半导体封装的 步骤c)包括用具有锥形边缘的刀片切割所述面板的步骤。
13.根据权利要求5所述的方法,其中所述将遮盖贴附到所述半导体封装的所述第一表 面的步骤e)包含将所述遮盖包覆模制到所述半导体封装的步骤。
14.根据权利要求5所述的方法,其中所述将遮盖贴附到所述半导体封装的所述第一表 面的步骤e)包含如下步骤:使所述遮盖形成有内边缘,所述内边缘具有能够与所 述半导体封装的所述第一边缘及所述第二边缘的所述形状相匹配的形状;及,使所 述遮盖在所述半导体封装上滑动,以使得所述遮盖的内边缘与所述半导体封装的所 述第一边缘及所述第二边缘相配合。
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