[发明专利]磁致电阻传感器设备以及制造这样的磁致电阻传感器设备的方法有效
申请号: | 200780006264.6 | 申请日: | 2007-02-13 |
公开(公告)号: | CN101389972A | 公开(公告)日: | 2009-03-18 |
发明(设计)人: | 阿恩·克莱默;莱恩哈德·布赫霍德 | 申请(专利权)人: | NXP股份有限公司 |
主分类号: | G01R33/09 | 分类号: | G01R33/09 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 朱进桂 |
地址: | 荷兰艾*** | 国省代码: | 荷兰;NL |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 致电 传感器 设备 以及 制造 这样 方法 | ||
1.一种磁致电阻传感器设备(100;100’;100”),包括:
至少一块基板(10),以及
至少一个传感元件(30),分别选自由各向异性磁致电阻传感元件 和巨磁电阻传感元件构成的组,所述传感元件(30)安置于基板(10) 的上方;以及
磁层(20t),提供至少一个偏置磁场并且被安置于基板(10)的 上方;
其特征在于:
所述磁层与所述至少一个传感元件(30)直接接触并且至少部分 覆盖所述至少一个传感元件(30),所述磁层(20t)包含退火的各向 异性磁浆和/或可磁化浆。
2.根据权利要求1所述的传感器设备,其中,所述基板是硅晶片。
3.根据权利要求1所述的传感器设备,其中,所述巨磁电阻传感 元件是多层巨磁电阻传感元件。
4.根据权利要求2所述的传感器设备,其中,所述巨磁电阻传感 元件是多层巨磁电阻传感元件。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的传感器设备,还包括:另 一磁层(20b),位于所述基板(10)下方,使得所述基板(10)处于 所述另一磁层和所述至少一个传感元件(30)之间,所述另一磁层包 含退火的各向异性磁浆和/或可磁化浆。
6.根据权利要求1至4中任一项所述的传感器设备,其特征在于, 所述磁层含有永磁场特性。
7.根据权利要求5所述的传感器设备,其特征在于,所述磁层含 有永磁场特性。
8.根据权利要求1至4中任一项所述的传感器设备,其中,所述 的浆基于可磁化粉末,所述可磁化粉末选自由铁氧体粉末和包含至少 一种稀土化合物的粉末构成的组。
9.根据权利要求5所述的传感器设备,其中,所述的浆基于可磁 化粉末,所述可磁化粉末选自由铁氧体粉末和包含至少一种稀土化合 物的粉末构成的组。
10.根据权利要求6所述的传感器设备,其中,所述的浆基于可 磁化粉末,所述可磁化粉末选自由铁氧体粉末和包含至少一种稀土化 合物的粉末构成的组。
11.根据权利要求7所述的传感器设备,其中,所述的浆基于可 磁化粉末,所述可磁化粉末选自由铁氧体粉末和包含至少一种稀土化 合物的粉末构成的组。
12.根据权利要求2至4中任一项所述的传感器设备,其特征在 于,至少部分和/或至少局部地将所述的浆丝网印刷在基板(10)上。
13.根据权利要求1至4中任一项所述的传感器设备,其中,所 述传感器设备是梯度计、磁力计、用于对所要测量的磁场的场强进行 测量的传感器、线性位移传感器和转速传感器之一。
14.根据权利要求5所述的传感器设备,其中,所述传感器设备 是梯度计、磁力计、用于对所要测量的磁场的场强进行测量的传感器、 线性位移传感器和转速传感器之一。
15.根据权利要求6所述的传感器设备,其中,所述传感器设备 是梯度计、磁力计、用于对所要测量的磁场的场强进行测量的传感器、 线性位移传感器和转速传感器之一。
16.根据权利要求7所述的传感器设备,其中,所述传感器设备 是梯度计、磁力计、用于对所要测量的磁场的场强进行测量的传感器、 线性位移传感器和转速传感器之一。
17.根据权利要求8所述的传感器设备,其中,所述传感器设备 是梯度计、磁力计、用于对所要测量的磁场的场强进行测量的传感器、 线性位移传感器和转速传感器之一。
18.根据权利要求9所述的传感器设备,其中,所述传感器设备 是梯度计、磁力计、用于对所要测量的磁场的场强进行测量的传感器、 线性位移传感器和转速传感器之一。
19.根据权利要求10所述的传感器设备,其中,所述传感器设备 是梯度计、磁力计、用于对所要测量的磁场的场强进行测量的传感器、 线性位移传感器和转速传感器之一。
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