[发明专利]超声波清洗装置有效
申请号: | 200780007505.9 | 申请日: | 2007-09-10 |
公开(公告)号: | CN101395704A | 公开(公告)日: | 2009-03-25 |
发明(设计)人: | 长谷川浩史;釜村智治 | 申请(专利权)人: | 株式会社华祥 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304;B06B1/06;B08B3/12 |
代理公司: | 北京润平知识产权代理有限公司 | 代理人: | 周建秋;王凤桐 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 超声波 清洗 装置 | ||
技术领域
本发明涉及通过使多个振动元件振动来清洗收容于清洗槽中的被清洗 物的超声波清洗装置。
背景技术
作为使用振动元件的振动来清洗浸泡于清洗槽内的清洗液中的被清洗 物(例如半导体晶片、玻璃基板)的超声波清洗装置,有例如图8所示的超 声波清洗装置410。在此,图8是表示传统的超声波清洗装置的结构的一部 分剖面图。该超声波清洗装置410具有收容清洗液421的清洗槽420a以及 分别连接到多个振动元件431、432、433上的多个振荡器441、442、443, 所述多个振动元件431、432、433安装在与清洗槽420a的底面粘接的振动 板420b上。用于供电的电源451、452、453分别连接振荡器441、442、443。 在该超声波清洗装置410中,通过振荡器441、442、443来激励振动元件431、 432、433,能够除去浸泡在清洗槽420a的清洗液421中的被清洗物上所附 着的微粒子。
专利文献1:实开平2-4688号公报
专利文献1:实开昭61-143685号
发明内容
但是,在上述超声波清洗装置410中,由于使多个振荡器441、442、443 相互独立地工作来激励振动元件431、432、433,因此,振动元件431、432、 433之间产生了声压不均匀。因此,不能充分地除去被清洗物上所附着的微 粒子,产生了清洗斑。
因此,本发明的目的在于提供一种消除多个振动元件之间的声压不均 匀、提高微粒子的除去率的无清洗斑的超声波清洗装置。
为了解决上述问题,本发明的超声波清洗装置具有:清洗槽,用于收容 被清洗物和清洗液;多个振动元件,安装在清洗槽上;多个振荡器,分别与 多个振动元件连接,用于激励多个振动元件;以及控制部,与多个振荡器连 接,用于控制所述多个振荡器以使所述多个振荡器对多个振动元件输出相位 相同的信号。
在本发明提供的超声波清洗装置中,多个振荡器输出由控制部输出的同 步脉冲统一定时的相位相同的信号。
在本发明提供的超声波清洗装置中,多个振荡器与其工作状态无关地输 出由控制部输出的同步脉冲统一定时的相位相同的信号。
在本发明提供的超声波清洗装置中,多个振荡器分别具有频率控制电 路,所述频率控制电路生成具有遵循控制部对多个振荡器输出的振荡频率值 的频率的信号,并将该信号作为由控制部对多个振荡器输出的同步脉冲统一 定时的相位相同的信号而分别输出至多个振动元件。
在本发明提供的超声波清洗装置中,控制部对振荡器输出用于开始向振 动元件输出信号的振荡开始定时脉冲。
在本发明提供的超声波清洗装置中,由同步脉冲统一定时后输出的信号 的相位是零度并且是相同的。
在本发明提供的超声波清洗装置中,振动元件是压电元件。
在本发明提供的超声波清洗装置中,超声波清洗装置具有间接槽,该间 接槽收容用于传播振荡的介质以及至少与所述介质接触配置的清洗槽,并且 该间接槽安装在多个振动元件上。
在本发明提供的超声波清洗装置中,多个振荡器分别具有功率放大电 路,所述功率放大电路根据控制部对多个振荡器输出的功率设定值信号而放 大输出到多个振动元件的每一个的输出信号的振幅。
此外,本发明提供的超声波清洗装置具有:清洗槽,用于收容被清洗物 和清洗液;多个振动元件,安装在清洗槽上;多个振荡器,分别与多个振动 元件连接,用于激励多个振动元件;以及控制部,与多个振荡器连接,用于 控制所述多个振荡器以使所述多个振荡器对多个振动元件输出相位大致相 同的信号。
在本发明提供的超声波清洗装置中,多个振荡器输出由控制部输出的同 步脉冲统一定时的相位相同的信号,多个振荡器输出的信号的相位差在-45 度到+45度的范围内。
在本发明提供的超声波清洗装置中,多个振荡器分别具有信号生成电 路,信号生成电路分别所生成的信号的相位差在-5度到+5度的范围内。
在本发明提供的超声波清洗装置中,信号生成电路所生成的信号是调频 (FM)调制波。
在本发明提供的超声波清洗装置中,FM调制波在频率最低处与从控制 部输出的同步脉冲同步。
在本发明提供的超声波清洗装置中,信号生成电路所生成的信号是调幅 (AM)调制波。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造