[发明专利]Ⅲ-Ⅴ族氮化物半导体基板的制造方法

权利要求书

1.一种Ⅲ-Ⅴ族氮化物半导体基板的制造方法，其包括以下工序(I-1)～(I-6)，其中，

(I-1)在衬底基板上配置无机粒子，

(I-2)以无机粒子为蚀刻掩模，干法蚀刻衬底基板，在衬底基板形成凸部，

(I-3)在衬底基板上形成外延生长掩模用的被膜，

(I-4)去除无机粒子，形成衬底基板的露出面，

(I-5)使Ⅲ-Ⅴ族氮化物半导体在衬底基板的露出面上生长，

(I-6)将Ⅲ-Ⅴ族氮化物半导体与衬底基板分离，

所述无机粒子的平均粒径为5nm～50μm。

2.一种Ⅲ-Ⅴ族氮化物半导体基板的制造方法，其包括以下工序(II-1)～(II-7)，其中，

(II-1)在衬底基板上配置无机粒子，

(II-2)以无机粒子为蚀刻掩模，干法蚀刻衬底基板，在衬底基板形成凸部，

(II-3)去除无机粒子，

(II-4)在衬底基板上形成外延生长掩模用的被膜，

(II-5)去除凸部的顶部的被膜，形成衬底基板的露出面，

(II-6)使Ⅲ-Ⅴ族氮化物半导体在衬底基板的露出面上生长，

(II-7)将Ⅲ-Ⅴ族氮化物半导体与衬底基板分离，

所述无机粒子的平均粒径为5nm～50μm。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其中，

所述无机粒子由选自氧化物、氮化物、碳化物、硼化物、硫化物、硒化物及金属中的至少1种物质构成。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，

所述氧化物是选自硅石、氧化铝、氧化锆、二氧化钛、二氧化铈、氧化锌、氧化锡及钇铝石榴石中的至少一种物质。

5.根据权利要求1或2所述的方法，其中，

所述无机粒子的形状是球状、板状、针状或不定形。

6.根据权利要求1或2所述的方法，其中，

在工序(I-5)或工序(II-6)中，在衬底基板和Ⅲ-Ⅴ族氮化物半导体层之间形成空隙。

7.根据权利要求1或2所述的方法，其中，

在工序(I-6)或工序(II-7)中，分离是通过施加应力从而机械地从Ⅲ-Ⅴ族氮化物半导体层剥离衬底基板的方法来进行的。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，

分离是利用内部应力或外部应力来进行的。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，

分离是通过以下方法来进行的，所述方法是利用基于Ⅲ-Ⅴ族氮化物半导体层和衬底基板的热膨胀系数差的应力来自然剥离衬底基板的方法。