[发明专利]DDR型沸石膜的制造方法有效
| 申请号： | 200780008881.X | 申请日： | 2007-02-15 |
| 公开（公告）号： | CN101400605A | 公开（公告）日： | 2009-04-01 |
| 发明（设计）人： | 谷岛健二;中山邦雄 | 申请（专利权）人： | 日本碍子株式会社 |
| 主分类号： | C01B39/04 | 分类号： | C01B39/04;B01D69/04;B01D69/06;B01D69/12;B01D71/02 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 | 代理人： | 钟 晶 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | ddr 型沸石膜 制造 方法 | ||
1.一种DDR型沸石膜的制造方法，其为将多孔基体浸渍于含有1-金刚烷胺、二氧化硅和水的原料溶液中，在存在DDR型沸石晶种的情况下，水热合成DDR型沸石，在所述多孔基体的表面形成DDR型沸石膜的方法，
其特征在于，所述1-金刚烷胺和所述二氧化硅的含有比例(1-金刚烷胺/二氧化硅)为0.002以上、小于0.03摩尔比，所述水和所述二氧化硅的含有比例(水/二氧化硅)为10～500摩尔比，
所述晶种的平均粒径为300nm以下。
2.根据权利要求1所述的DDR型沸石膜的制造方法，
其中，所述水和所述二氧化硅的含有比例(水/二氧化硅)为10以上、小于20摩尔比，
用所述晶种的质量除以存在所述晶种的所述多孔基体的表面面积得到的值为0.03～50μg/cm2。
3.根据权利要求1所述的DDR型沸石膜的制造方法，其中，所述原料溶液中含有乙二胺。
4.根据权利要求1所述的DDR型沸石膜的制造方法，其中，所述DDR型沸石膜的厚度为15μm以下。
5.根据权利要求1所述的DDR型沸石膜的制造方法，其中，使所述晶种分散在所述原料溶液中，浸渍所述多孔基体。
6.根据权利要求5所述的DDR型沸石膜的制造方法，其中，所述晶种分散在所述原料溶液中的同时，也涂布在所述多孔基体上，将涂布了所述晶种的所述多孔基体浸渍于所述原料溶液中。
7.根据权利要求1所述的DDR型沸石膜的制造方法，其中，所述多孔基体的形状是板状、筒状、蜂窝状，或者使多个筒状管一体化而成的整体形状。
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