[发明专利]硅化的非易失存储器及其制造方法

权利要求书

1.一种形成半导体器件的方法，所述方法包括：

提供半导体衬底；

在所述半导体衬底上方形成第一栅电极，其中所述第一栅电极包含硅并且具有第一部分和第二部分；

在所述半导体衬底上方并且横向邻近所述第一栅电极形成第二栅电极，其中所述第二栅电极包含硅；

在形成所述第一栅电极之后以及在形成所述第二栅电极之后，使所述第一栅电极凹进在所述第二栅电极之下，其中凹进包括移除所述第一栅电极的第一部分，并且保留所述第一栅电极的第二部分，其中所述第二部分位于所述第一部分之下；

在所述第一栅电极的第二部分的靠近所述第二栅电极侧的部分的上方形成侧壁间隔；

在所述第一栅电极的第二部分的其它部分的上方并且邻近所述侧壁间隔形成第一硅化物；以及

在所述第二栅电极上方形成第二硅化物，其中形成所述第一硅化物和形成所述第二硅化物同时进行。

2.如权利要求1所述的方法，进一步包括：

在所述半导体衬底内形成源区域；

在所述半导体衬底内形成漏区域；

在所述源区上方形成第三硅化物，其中当形成所述第一硅化物时形成所述第三硅化物；以及

在所述漏区上方形成第四硅化物，其中当形成所述第一硅化物时形成所述第四硅化物。

3.如权利要求1所述的方法，其中形成第一栅电极进一步包括形成选择栅电极；以及其中形成所述第二栅电极进一步包括形成控制栅电极。

4.如权利要求1所述的方法，其中形成第一栅电极进一步包括形成控制栅电极；以及其中形成所述第二栅电极进一步包括形成选择栅电极。

5.如权利要求1所述的方法，其中使所述第一栅电极凹进进一步包括：

在所述第一栅电极上形成电介质层；以及

移除在所述第一栅电极上的所述电介质层。

6.如权利要求1所述的方法，其中形成所述第二栅电极进一步包括：

在所述第一栅电极上形成栅电极材料，其中所述栅电极材料包括硅；以及

移除所述栅电极材料的至少一部分以形成所述第二栅电极。

7.如权利要求6所述的方法，其中移除所述栅电极材料的至少一部分以形成所述第二栅电极包括蚀刻所述栅电极材料。

8.如权利要求1所述的方法，进一步包括：

在所述半导体衬底上方并且邻近所述第二栅电极形成第三栅电极，其中所述第三栅电极包含硅；

在所述第三栅电极上方形成第五硅化物，其中所述第五硅化物邻近所述第二硅化物；以及

在所述第二硅化物和第五硅化物上方形成接触。

9.如权利要求1所述的方法，其中形成侧壁间隔包括：

在所述半导体衬底上方形成电介质层；以及

蚀刻所述电介质层。

10.如权利要求1所述的方法，其中形成所述第一硅化物进一步包括形成邻近所述侧壁间隔的所述第一硅化物。

11.一种形成半导体器件的方法，所述方法包括：

提供半导体衬底；

在所述半导体衬底上方形成第一绝缘层；

在所述第一绝缘层上方形成第一栅电极；

在所述第一栅电极上方形成氮化物；

在所述半导体衬底上方形成第二绝缘层，其中所述第二绝缘层包括不连续的存储元件；

在所述第二绝缘层上方形成第二栅电极；

邻近所述第二栅电极形成第一侧壁间隔；

在形成所述第一栅电极之后以及在形成所述第二栅电极之后，使所述第一栅电极凹进在所述第二栅电极之下，其中在移除所述不连续的存储元件中的至少一个时出现凹进；

邻近所述第一栅电极形成第二侧壁间隔；

移除在所述第一栅电极上方的氮化物；

在移除所述氮化物之后在所述第一栅电极的靠近所述第二栅电极侧的部分的上方形成间隔，其中形成所述第一侧壁间隔、形成所述第二侧壁间隔以及形成间隔是同时形成的；

在所述第一栅电极的其它部分的上方并且邻近所述间隔形成第一硅化物；以及

在所述第二栅电极上方形成第二硅化物，其中当形成所述第一硅化物时形成所述第二硅化物。