[发明专利]在支撑衬底上通过外延获得的非晶材料中制造包括至少一个薄层的结构的方法和根据该方法获得的结构有效

专利信息
申请号: 200780008941.8 申请日: 2007-03-13
公开(公告)号: CN101421837A 公开(公告)日: 2009-04-29
发明(设计)人: X·埃布拉 申请(专利权)人: S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司
主分类号: H01L21/762 分类号: H01L21/762
代理公司: 北京戈程知识产权代理有限公司 代理人: 程 伟;王锦阳
地址: 法国*** 国省代码: 法国;FR
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摘要:
搜索关键词: 支撑 衬底 通过 外延 获得 材料 制造 包括 至少 一个 薄层 结构 方法 根据
【权利要求书】:

1.一种在接收衬底(40,60,72,91)上制造包括至少一个薄层的最终衬底的方法,其特征在于它至少包括以下步骤:

-从支撑衬底形成所谓的中间结构(32’,52’,62’,82’)包括:

o非晶体层(33,53,66,86),其中中间层具有上部面,以及通过在所述支撑衬底中从上部面进行受控的物质注入而得到非晶层(33,53,66,86),

o第一晶体层(35,55,68,87),因为所述受控的物质注入第一晶体层(35,55,68,87)包含引起末端型点缺陷的间隙Si原子的点缺陷并紧邻位于所述的非晶体层(33,53,66,86)下面,

o位于中间结构(32’,52’,62’,82’)的下部分的第二晶体层(36,56,70,89),

-结合接收衬底(40,60,72,91)到所述的中间结构(32’,52’,62’,82’)的上部面上,

-去除形成有末端型点缺陷的中间结构(32’,52’,62’,82’)的第一晶体层(35,55,68,87)和第二晶体层(36,56,70,89),使得所述的非晶体层(33,53,66,86)形成被结合和部分去除的中间结构(32’,52’,62’,82’)的上部层。

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于非晶体层(33,53,66,86)形成在中间结构(32’,52’,62’,82’)的表面。

3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于非晶体层(33,53,66,86)形成在中间结构(32’,52’,62’,82’)上。

4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于非晶体层(33,53,66,86)通过沉积外延晶体层(53,64)伴随全部或部分非晶化所述的层(54,84)来制得。

5.根据权利要求2所述的方法,其特征在于非晶体层(33,53,66,86)形成在中间结构(32’,52’,62’,82’)中以形成上部层,所谓的中间结构(32’,52’,62’,82’)的表面非晶体层(53,86)。

6.根据权利要求2所述的方法,其特征在于非晶体层(33,53,66,86)形成在中间结构(32’,52’,62’,82’)中以形成埋入层,所谓的埋入非晶体层(33,53,66,86)紧邻位于中间结构(32’,52’,62’,82’)的上部分的第三晶体层(34,67)的下面。

7.根据权利要求5或6中任意一项所述的方法,其特征在于通过注入物质到所述支撑衬底(32,52,62,82)中获得非晶体层(33,53,66,86)。

8.根据权利要求1或2中任意一项所述的方法,其特征在于,在结合接收衬底(40,60,72,91)的步骤之前,它包括通过所述的中间结构(32’,52’,62’,82’)的上部面注入物质的掺杂非晶体层(33,53,66,86)的步骤。

9.根据权利要求1或2中任意一项所述的方法,其特征在于,在形成非晶体层(33,53,66,86)的步骤和去除中间结构(32’,52’,62’,82’)的形成有末端型点缺陷的层(35,55,68,87)的步骤之后并在结合接收衬底(40,60,72,91)的步骤之前,它包括通过注入物质掺杂非晶体层(33,53,66,86)的步骤。

10.根据权利要求2至6中任意一项所述的方法,其特征在于通过采用再结晶所述非晶体层(33,53,66,86)的热处理来激活注入到非晶体层(33,53,66,86)中的掺杂物。

11.根据权利要求7所述的方法,其特征在于通过采用再结晶所述非晶体层(33,53,66,86)的热处理来激活注入到非晶体层(33,53,66,86)中的掺杂物。

12.根据权利要求10所述的方法,其特征在于在550℃到650℃的温度区间持续一到两个小时执行所述的热处理。

13.根据权利要求11所述的方法,其特征在于在550℃到650℃的温度区间持续一到两个小时执行所述的热处理。

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