[发明专利]光电变换装置的制造方法有效

专利信息
申请号: 200780009546.1 申请日: 2007-02-28
公开(公告)号: CN101405826A 公开(公告)日: 2009-04-08
发明(设计)人: 木下仁志;杉山浩之;久嶋浩之;下井英树;井上圭祐 申请(专利权)人: 浜松光子学株式会社
主分类号: H01J9/26 分类号: H01J9/26;H01J9/24
代理公司: 北京尚诚知识产权代理有限公司 代理人: 龙 淳
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 光电 变换 装置 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种光电变换装置的制造方法,其特征在于:

所述光电变换装置具备外围器,

所述外围器是通过接合第一框架和第二框架而构成的,该第一框架包括平板状部材和以围绕该平板状部材的主面中心的形式配设于该主面上的同时从该主面向垂直方向上延伸的侧壁,该第二框架包括平板状部材,

在所述外围器的至少一部分上具有光入射窗,并且,在由所述第一框架的平板状部材主面、所述第一框架的侧壁以及所述第二框架的平板状部材主面所规定的内部空间内,容纳有光电面和阳极,

该光电变换装置的制造方法具备如下第一步骤、第二步骤、第三步骤、第四步骤和第五步骤:

所述第一步骤是在面对于所述第二框架的平板状部材主面的、所述第一框架的侧壁端面上形成第一金属膜的步骤,

该第一金属膜包含选自如下金属膜的任意一种:从该侧壁端面进一步在垂直方向上按铬、镍的顺序层叠的金属膜;从该侧壁端面进一步在垂直方向上按铬、钛的顺序层叠的金属膜;以及,由钛构成的金属膜,

所述第二步骤是在面对于所述第一框架的侧壁端面的、所述第二框架的平板状部材表面上的接合部位,直接或者间接地形成第二金属膜的步骤,

所述第二金属膜包含选自如下金属膜的任意一种:从该平板状部材表面在垂直方向上按铬、镍的顺序层叠的金属膜;从该平板状部材表面在垂直方向上按铬、钛的顺序层叠的金属膜;以及,由钛构成的金属膜,

所述第三步骤是将所述光电面以及所述阳极配置于所述外围器的内部空间内的步骤,在该第三步骤中,分别将该光电面以及阳极形成于所述第一框架的平板状部材的主面上以及所述第二框架的平板状部材主面上的至少任意一个主面上,

在所述第四步骤中,将所述第一以及第二框架导入到在通过从所述光电面的制作温度降低从而保持在铟的熔点以下的温度的同时减压至指定的真空度的真空空间内,在将含有铟的接合材料夹持于所述第一金属膜和所述第二金属膜之间的状态下,使所述第一框架上的侧壁端面和所述第二框架的接合部位相面对,

所述第五步骤是在保持在铟的熔点以下的温度的所述真空空间内接合所述第一框架和所述第二框架的步骤,在该第五步骤中,在夹持所述接合材料的状态下,不进行加热而以指定的压力使所述第一框架和所述第二框架紧密附着。

2.根据权利要求1所记载的光电变换装置的制造方法,其特征在于:

由玻璃材料构成所述第一框架的平板状部材以及所述第二框架的平板状部材的至少一个部材,并且其一部分作为所述光入射窗而起作用。

3.根据权利要求1或2所记载的光电变换装置的制造方法,其特征在于:

由硅材料构成所述第一框架上的所述侧壁。

4.根据权利要求1或者2所记载的制造方法,其特征在于:

由玻璃材料构成所述第一框架上的所述平板状部材,并且其与所述侧壁阳极接合。

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