[发明专利]用于半导体载体的低欧姆衬底通孔互连

权利要求书

1.一种用于制造半导体载体结构(600)的方法，所述半导体载体结构(600)包括在半导体衬底(100，600)的前表面(101)和背表面(102)之间延伸的第一连接部(610)和第二连接部(615)，所述方法包括如下步骤：

从所述前表面(101)开始在所述半导体衬底(200)中形成第一沟槽(210)和第二沟槽(215)，其中

-每个沟槽(210，215)都具有预定的最小深度，并且

-通过所述半导体衬底(200)的至少一部分使两个沟槽(210，215)在空间上彼此隔开，

利用非金属填充材料填充所述第一沟槽(410)和所述第二沟槽(415)，

在所述前表面(401)形成CMOS电路布置(520，620)，

从所述背表面(102，502)开始减薄所述半导体衬底(400)，使得

-被填充的沟槽(510，515)的背侧前端未被覆盖，并且

-所述第一沟槽表示所述第一连接部，且所述第二沟槽表示所述第二连接部，

至少部分地去除所述第一沟槽(510)内的所述非金属填充材料，以及

利用电阻率低于多晶硅的低欧姆材料填充所述第一沟槽(310，410)，使得

-所述第一连接部(610)电耦合到所述CMOS电路布置(620)的至少一个节点而不穿透所述CMOS电路布置(620)。

2.根据权利要求1所述的方法，其中

所述非金属填充材料为导电多晶硅。

3.根据权利要求1所述的方法，其中

所述低欧姆材料为金属材料。

4.根据权利要求1所述的方法，其中

在利用所述低欧姆材料填充所述第一沟槽(410)之前，所述方法还包括如下步骤：

为所述第一沟槽(410)的至少一个内壁提供绝缘涂层。

5.根据权利要求1所述的方法，还包括如下步骤：

至少部分地从所述第二沟槽(515)去除所述非金属填充材料，以及

利用填充材料填充所述第二沟槽(515)。

6.根据权利要求5所述的方法，其中

所述填充材料为电绝缘材料。

7.根据权利要求5所述的方法，其中

在利用所述填充材料填充所述第二沟槽(415)之前，所述方法还包括如下步骤：

为所述第二沟槽(415)的至少一个内壁提供绝缘涂层。

8.根据权利要求1所述的方法，其中

在利用所述非金属填充材料填充所述第一沟槽(410)之后且在至少部分地从所述第一沟槽(410)去除所述非金属填充材料之前，所述方法还包括如下步骤：

至少对所述半导体衬底(100，400)的所述前表面进行抛光。

9.根据权利要求1所述的方法，还包括如下步骤：

在所述半导体衬底(600)的所述背表面提供到所述第一连接部(610)的电接触部(645)。

10.根据权利要求1所述的方法，还包括如下步骤：

形成各自在所述半导体衬底(100，600)的所述前表面(101)和所述背表面(102)之间延伸的多个第一连接部和多个第二连接部。

11.根据权利要求10所述的方法，还包括如下步骤：

在所述前表面形成被设置成二维阵列的多个光学元件，其中每个光学元件与至少一个第一连接部电耦合。

12.根据权利要求11所述的方法，其中

所述光学元件为光发射器元件或光检测器元件。