[发明专利]双面晶片磨具以及工件纳米形貌的估计方法

权利要求书

1.一种双面磨具，包含一对研磨轮和一对静水压力垫，所述研磨轮和 所述静水压力垫能够将一般的平坦的工件保持在某个平面中，其中所述工 件的第一部分位于所述研磨轮之间而所述工件的第二部分位于所述静水压 力垫之间，所述磨具包含多个传感器，这些传感器能够测量所述工件和各 个所述传感器之间的距离，其中所述传感器中至少一些传感器在xyz直角 坐标系中的x方向和y方向中的至少一个方向上是相互隔开的，而所述xyz 坐标系定义为使得所述工件被保持在xy平面中，所述磨具包括处理器，用 来从所述传感器接收与工件纳米形貌相关的数据，并使用所测量到的所述 距离来进行所述工件的有限元结构分析，其中所述处理器能够根据所述传 感器数据来调整所述研磨轮和所述静水压力垫至少其中之一的位置；并且/ 或者该处理器能够根据所述传感器数据来调整由所述静水压力垫施加到所 述工件的至少一部分上的静水压力的大小。

2.根据权利要求1所述的双面磨具，其中，

所述传感器包括多个传感器对，所述传感器对包含两个相对的传感器， 这两个传感器通常沿所述正交坐标系的z方向对齐并被分置于所述工件的 相对的两侧，所述传感器对在所述x方向和y方向中的至少一个方向上是 相互隔开的；和/或

所述多个传感器包括通常位于从所述工件中心发出的第一径向线上的 第一传感器和通常位于从所述工件中心发出的第二径向线上的第二传感 器，所述第一和第二径向线沿不同方向延伸；和/或

所述多个传感器包括与所述工件中心相隔第一距离的第一传感器以及 与所述工件中心相隔第二距离的第二传感器，所述第一距离不同于所述第 二距离。

3.根据权利要求1或2所述的双面磨具，其中，所述静水压力垫每个 都包括主体和主体中的开口，其中所述主体具有用以夹住所述工件的工作 面，所述开口用来容纳一个研磨轮，由此使所述研磨轮与所述工件接触， 所述多个传感器包括至少两个传感器，这两个传感器在所述x方向和y方 向中的至少一个方向上相互隔开并位于至少一个所述开口的周边。

4.根据权利要求2所述的双面磨具，其中，所述第一和第二距离中至 少一个距离对应着从所述工件中心到与B环缺陷相关联的所述工件部分的 距离；以及其中，所述多个传感器还包括第三传感器，该第三传感器与所 述工件中心相隔第三距离，所述第三距离不同于所述第一和第二距离。

5.根据权利要求2所述的双面磨具，其中，所述工件被保持在实质上 为垂直平面的平面中。

6.使用双面磨具处理半导体晶片的方法，所述双面磨具是一种用一对 研磨轮和一对静水压力垫将所述晶片保持在一个平面中的磨具，所述方法 包括，测量所述晶片和至少一个传感器之间的距离并使用所测量的距离确 定晶片的纳米形貌，对晶片的纳米形貌的确定包括使用所述距离来进行所 述晶片的有限元分析。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，

在所述晶片处在所述磨具中时进行对所述晶片的纳米形貌的确定；和/ 或

所述晶片被保持在的所述平面实质上是垂直平面。

8.根据权利要求6或7所述的方法，其中，所述测量包括对所述晶片 和多个传感器之间的多个距离进行测量，以及其中，所述确定包括使用所 述多个距离来确定所述晶片的纳米形貌，以及其中，所述晶片的所确定的 纳米形貌指示的是下游处理步骤之后的所述晶片。

9.根据权利要求6或7所述的方法，还包括根据所述确定来调整所述 双面磨具的对齐，以及其中所述确定包括使用处理器来估计所述晶片的纳 米形貌并调整所述双面磨具的对齐。

10.根据权利要求6或7所述的方法，还包括：

根据所述确定来调整所述静水压力垫作用在所述工件的至少一部分上 的静水压力的大小；和/或

使用处理器来确定所述晶片的纳米形貌并调整作用在所述工件的所述 部分上的静水压力的大小。