[发明专利]以多退火步骤形成氮氧化硅栅极介电层的方法

权利要求书

1.一种用以处理半导体基材的方法，包含：

形成氮氧化硅膜层；

在分压为1～100毫托耳的氧化气体存在下，将所述氮氧化硅膜层退火； 及

以分压为0.5～3.0托耳的氧气，将所述氮氧化硅膜层退火。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述形成氮氧化硅膜层的步骤以等 离子氮化来实施。

3.如权利要求1所述的方法，其中所述在分压为1～100毫托耳的氧 化气体存在下将所述氮氧化硅膜层退火的步骤是在700℃或更高温度下实 施。

4.如权利要求3所述的方法，其中所述在分压为1～100毫托耳的氧 化气体存在下将所述氮氧化硅膜层退火的步骤是在1000℃～1100℃间实 施。

5.如权利要求1所述的方法，其中所述在分压为1～100毫托耳的氧 化气体存在下将所述氮氧化硅膜层退火的步骤是实施1～120秒。

6.如权利要求1所述的方法，其中所述在分压为1～100毫托耳的氧 化气体存在下将所述氮氧化硅膜层退火的步骤是在处理室压为100毫托耳 至800托耳间实施。

7.如权利要求1所述的方法，其中所述氧化气体是选自氧气、一氧化 二氮、一氧化氮及臭氧的气体。

8.如权利要求1所述的方法，其中所述氧化气体为氧气。

9.如权利要求1所述的方法，其中所述在分压为1～100毫托耳的氧 化气体存在下将所述氮氧化硅膜层退火的步骤更包含以还原气体将所述氮 氧化硅膜层退火。

10.如权利要求9所述的方法，其中所述还原气体是氢气。

11.如权利要求1所述的方法，其中所述在分压为1～100毫托耳的氧 化气体存在下将所述氮氧化硅膜层退火的步骤更包含以惰性气体将所述氮 氧化硅膜层退火。

12.如权利要求11所述的方法，其中所述惰性气体是选自氮气、氦 气及氩气的气体。

13.如权利要求1所述的方法，其中在以氧气将所述氮氧化硅膜层退 火的步骤中，氧气的流速为1slm且是在900℃至1100℃下实施。

14.如权利要求1所述的方法，其中在以氧气将所述氮氧化硅膜层退 火的步骤中，氧气的流速为1slm且是在10毫托耳至100托耳的压力下实 施。

15.如权利要求1所述的方法，其中所述以分压为0.5～3.0托耳的氧 气将所述氮氧化硅膜层退火的步骤实施1秒至120秒。

16.一种用于对处理室中的具有氮氧化硅膜层的半导体基材进行退火 的方法，包含：

在1000℃至1100℃的处理室温度下，将1～100毫托耳的氧化气体流 入所述处理室中；

以1slm流速将0.5～3托耳的氧气流入所述处理室中；

其中所述将1～100毫托耳的氧化气体流入所述处理室中的步骤是在较 所述将0.5～3托耳的氧气流入所述处理室的步骤更高温度与更高处理室压 下实施。

17.如权利要求16所述的方法，其中所述将1～100毫托耳的氧化气 体流入所述处理室中的步骤是在1000℃的温度下实施。

18.如权利要求16所述的方法，其中所述将1～100毫托耳的氧化气 体流入所述处理室中的步骤是实施1秒至120秒。

19.如权利要求16所述的方法，其中所述将1～100毫托耳的氧化气 体流入所述处理室中的步骤是在处理室压为100毫托耳至800托耳下实 施。

20.如权利要求16所述的方法，其中所述氧化气体是选自氧气、一 氧化二氮、一氧化氮及臭氧中的气体。