[发明专利]用于计算机断层成像和其它成像应用的背照式光电晶体管阵列

权利要求书

1.一种光电晶体管阵列，包括：

具有第一和第二面的第一导电类型的衬底；

在衬底的第一面上形成；

具有比衬底更高电导率的第一导电类型的隔离区域的矩阵；

散布在隔离区域的矩阵内的第二导电类型的第一区域；

在隔离区域的矩阵内的第一导电类型的集电极区域；

在隔离区域的矩阵内并与第一区域和集电极区域接触的第二导电类型的基极区域；

在隔离区域的矩阵内并与基极区域接触的第一导电类型的发射极区域；和

电耦合到发射极区域、隔离区域和集电极区域的接触区域；

衬底的第二面具有比衬底更高电导率的第一导电类型的层并且电耦合到集电极区域和隔离区域的矩阵；

其中集电极区域与隔离区域接触，并且集电极区域通过隔离区域电耦合到接触区域。

2.权利要求1的阵列，其中隔离区域从衬底的第一面延伸到衬底的第二面上的比衬底更高电导率的第一导电类型的所述层。

3.权利要求2的阵列，其中衬底的第二面上的比衬底更高电导率的第一导电类型的所述层通过隔离区域电耦合到集电极区域。

4.权利要求2的阵列，其中隔离区域从第一面扩散到衬底中。

5.权利要求2的阵列，其中隔离区域从第一面和第二面扩散到衬底中。

6.权利要求1的阵列，其中第一导电类型是N型，第二导电类型是P型。

7.权利要求1的阵列，其中第一导电类型是P型，第二导电类型是N型。

8.权利要求1的阵列，其中隔离区域的矩阵限定像素区域的阵列，每个像素区域在每个像素区域内具有一个第二导电类型的第一区域，一个集电极区域，一个第二导电类型的基极区域和一个发射极区域，每个像素的接触区域电耦合到相应像素区域内的发射极区域。 

9.一种光电晶体管阵列，包括：

具有第一和第二面的第一导电类型的衬底；

在衬底的第一面上形成；

具有比衬底更高电导率的第一导电类型的隔离区域的矩阵；

散布在隔离区域的矩阵内的第二导电类型的第一区域；

在隔离区域的矩阵内的第一导电类型的集电极区域；

在隔离区域的矩阵内并与第一区域和集电极区域接触的第二导电类型的基极区域；

在隔离区域的矩阵内并与基极区域接触的第一导电类型的发射极区域；和

电耦合到发射极区域、隔离区域和集电极区域的接触区域；

衬底的第二面具有比衬底更高电导率的第一导电类型的层并且电耦合到集电极区域和隔离区域的矩阵；

其中第二导电类型的第一区域没有触及隔离区域。

10.一种光电晶体管阵列，包括：

具有第一和第二面的第一导电类型的衬底；

在衬底的第一面上形成；

具有比衬底更高电导率的第一导电类型的隔离区域的矩阵；

散布在隔离区域的矩阵内的第二导电类型的第一区域；

在隔离区域的矩阵内的第一导电类型的集电极区域；

在隔离区域的矩阵内并与第一区域和集电极区域接触的第二导电类型的基极区域；

在隔离区域的矩阵内并与基极区域接触的第一导电类型的发射极区域；和

电耦合到发射极区域、隔离区域和集电极区域的接触区域；

衬底的第二面具有比衬底更高电导率的第一导电类型的层并且电耦合到集电极区域和隔离区域的矩阵；

其中隔离区域的矩阵限定像素区域的阵列，每个像素区域在每个像素区域内具有多个第一区域、同样的多个集电极区域、同样的多个基极区域和同样的多个发射极区域，每个像素的接触区域电耦合到相应像素区域内的所有发射极区域。