[发明专利]模块有效
申请号: | 200780012929.4 | 申请日: | 2007-04-06 |
公开(公告)号: | CN101421834A | 公开(公告)日: | 2009-04-29 |
发明(设计)人: | 孙炅楱 | 申请(专利权)人: | LG伊诺特有限公司 |
主分类号: | H01L21/50 | 分类号: | H01L21/50 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人: | 蔡胜有;王春伟 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 模块 | ||
技术领域
本发明的实施方案涉及模块。
背景技术
近来,已经提出多种封装诸如球栅阵列封装(BGA)和系统级封装以跟上用于实现电子设备模块的半导体封装系统的小型化和高度集成的发展需要。
图1是通过应用相关技术的层叠封装(package-on-package)技术制造的半导体封装的视图。
如图1中所示,在下部封装10上堆叠上部封装20,通过该堆叠上部封装20物理地电连接至下部封装20。
然而,由于上部封装20和下部10彼此堆叠,所以总厚度增加。因此,该结构不能用于追求小型化和高度集成的电子设备。
发明内容
技术问题
实施方案提供适合于小型化和高度集成的模块。
技术方案
一个实施方案提供器件,包括:在上表面提供有空腔的第一模块单元;和其上安装有一个或更多个电子器件的第二模块单元,该第二模块单元至少部分容纳在该第一模块单元的空腔中。
一个实施方案提供器件,包括:在上表面提供有形成为双台阶结构的空腔的第一模块单元;和其上安装有一个或更多个电子器件的待容纳在该第一模块单元的空腔中的第二模块单元。
有益效果
根据上述实施方案,由于第二模块单元的电子器件容纳在第一模块单元的空腔中,所以可以实现小型化和高度集成。
此外,由于不同的电子器件分别安装在第一模块单元和/或第二模块单元上,所以可以进一步提高集成性。
附图说明
在此包括的用于进一步理解本发明并引入本申请作为本申请的一部分的附图说明了本发明的实施方案,并与说明书一起用于解释本发明的原理。附图中:
图1是相关技术的模块的截面图;
图2是用于根据第一实施方案的模块的第一模块单元的截面图;
图3是用于根据第一实施方案的模块的第二模块单元的截面图;
图4是说明根据第一实施方案的模块的第一模块单元和第二模块单元的耦接状态的截面图;
图5是用于根据第二实施方案的模块的第一模块单元的截面图;
图6是说明根据第二实施方案的模块的第一模块单元和第二模块单元的耦接状态的截面图;
图7是说明根据第二实施方案的模块的第一模块单元、第二模块单元和第三模块单元的耦接状态的截面图。
具体实施方式
现在将详细说明本发明的优选实施方案,其实例描述于附图中。然而,本发明可以许多不同的形式实现,并且不应该解释为限于此处阐述的实施方案;而是,提供这些实施方案使得本公开是彻底和完全的,并且使得本领域技术人员完全理解本发明的构思。
以下将参考图2至图4描述根据第一实施方案的模块。
在实施方案的描述中,当一个元件称为形成在另外的元件上或下时,所述第一元件可以直接形成在第二元件上或下使得两个元件接触,或者第一元件可以间接形成在第二元件上而在所述第一元件和第二元件之间插入第三元件。
在附图中,为描述方便和清楚起见,每个层的厚度或者尺寸可以放大或者示意性说明。
图2和3分别是说明用于第一实施方案的模块的第一模块单元和第二模块单元的截面图。
参考图2和图3,第一实施方案的模块包括第一模块单元200和物理地电耦接至第一模块单元200的第二模块单元100。
第一模块单元200包括基板210和在基板210的顶部表面和底部表面上以及在基板210中形成的线图案220、222和224。基板210具有多个通孔230。
通孔230填充有导电材料用于电互连线图案220、222和224。
虽然附图中没有显示,但是在第一模块单元200的基板210的顶部表面上可以安装多个电子器件(有源器件和无源器件)诸如半导体封装、半导体管芯、电阻器、电感器和电容器。
根据第一实施方案,在第一模块单元200的基板210的顶部表面上形成一个或更多个空腔250。可以合适地设计空腔250的宽度、长度和深度。
空腔250以具有低于基板210顶部表面的表面的凹槽的形式提供。此外,空腔250形成为在尺寸上对应于以后将描述的第二模块单元100,使得第二模块单元100可以插入空腔250中。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造