[发明专利]弹性表面波装置

说明书

技术领域

本发明涉及一种例如用作谐振子或频带滤波器的弹性表面波装置，具体而言，涉及一种具有在LiNbO₃基板上形成IDT电极和氧化硅膜的构造、且利用瑞利波的弹性表面波装置。 

背景技术

在便携电话机的RF段等中使用的频带滤波器中，要求宽频带且具有良好的温度特性。因此，以前使用如下弹性表面波装置，在由旋转Y板X传播的LiTaO₃基板或旋转Y板X传播的LiNbO₃基板构成的压电性基板上，形成IDT电极，且覆盖IDT电极地形成氧化硅膜。这种压电性基板的频率温度系数具有负值，为了改善温度特性，形成为具有正的频率温度特性的氧化硅膜覆盖IDT电极。 

但是，在这种构造中，在由正在通用的Al或以Al为主要成分的合金等形成IDT电极的情况下，IDT电极无法得到足够的反射系数。因此，存在谐振特性产生波纹等问题。 

作为解决这种问题的方案，在下述专利文献1中公开了一种弹性表面波装置，在由机电耦合系数K²为0.025以上的LiNbO₃构成的压电性基板上，形成以密度比Al大的金属为主体的IDT电极，在形成该IDT电极的剩余区域中，将第1氧化硅膜形成为与电极相等的膜厚，层叠第2氧化硅膜，以覆盖该电极和第1氧化硅膜。 

在专利文献1中记载的弹性表面波装置中，上述IDT电极的密度为第1氧化硅膜密度的1.5倍以上，由此，充分提高IDT电极的反射系数，可抑制谐振特性中呈现的波纹。 

在专利文献1中，公开如下构成，利用瑞利波，作为上述电极材料，示例Au或Cu等，在由Cu构成的电极的情况下，其膜厚为0.0058λ～ 0.11λ，尤其示出通过设为0.0058λ～0.055λ，可增大瑞利波的机电耦合系数K²。另外，示出如下构成，作为上述LiNbO₃基板，示出欧拉角为(0°±5°，38°±10°，0°)的LiNbO₃基板，作为上述第2氧化硅膜的膜厚，当设为表面波波长λ时，为0.15λ～0.4λ的范围。 

专利文献1：WO2005-034347 

近年来，即便是弹性表面波装置也进一步高频化。因此，IDT电极中的电极指间距变小，电极指自身的幅度尺寸也变小。结果，布线电阻变大，弹性表面波装置中的损耗变得容易变大。 

为了降低弹性表面波装置中的损耗，只要增厚电极的膜厚即可。但是，在利用瑞利波的现有弹性表面波装置中，例如专利文献1记载的那样，由Cu构成的IDT电极的膜厚最厚也就是0.11λ。这是因为若由Cu构成的IDT电极的膜厚厚至0.11λ，则SH波的响应急剧变大，在谐振频率与反谐振频率之间出现较大的乱真(spurious)。因此，在专利文献1中，在IDT电极由Cu构成的情况下，其厚度为0.0058λ～0.11λ的范围，最好为0.0058λ～0.055λ。 

因此，在推进高频化，减小电极指间距或减小电极指幅度尺寸的情况下，由于不能再增厚电极膜厚，所以布线电阻变大，损耗变得容易变大。 

另外，如上所述，在具有第1、第2氧化硅膜的弹性表面波装置中，尽管通过形成氧化硅膜来改善频率温度特性，但仍存在特性因氧化硅膜的膜厚偏差而偏差的问题。 

发明内容

 本发明的目的在于消除上述现有技术的缺点，提供一种利用瑞利波的弹性表面波装置，为了实现高频化，即便在减小电极指间距或减小电极指幅度尺寸的情况下，也难以产生损耗增大。 

根据本发明，提供一种弹性表面波装置，具备：欧拉角为(0°±5°，θ±5°，0°±10°)的LiNbO₃基板；电极，形成于所述LiNbO₃基板上，包括以Cu为主体的IDT电极，并且所述IDT电极具有电极指；第1氧化硅膜，在所述IDT电极的电极指间，厚度与所述电极相等地形成；和第2氧化硅膜，覆盖所述电极和第1氧化硅膜地形成，利用瑞利波，其特 征在于：当表面波的波长为λ时，所述电极的膜厚为0.12λ～0.18λ的范围，所述欧拉角(0°±5°，θ±5°，0°±10°)的θ为满足下式(1)的范围， 

θ＝32.01-351.92×exp(-T_CU/0.0187)  …式(1) 

其中，T_CU：以波长λ对Cu电极膜厚归一化后的值。