[发明专利]半导体树脂模塑用脱模膜无效

专利信息
申请号: 200780014091.2 申请日: 2007-04-20
公开(公告)号: CN101427358A 公开(公告)日: 2009-05-06
发明(设计)人: 奥屋珠生;有贺广志;樋口义明 申请(专利权)人: 旭硝子株式会社
主分类号: H01L21/56 分类号: H01L21/56;B29C33/68
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 代理人: 刘多益
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 半导体 树脂 模塑用 脱模
【权利要求书】:

1.气体屏蔽性半导体树脂模塑用脱模膜,其特征在于,具有由氟树脂形 成的脱模层(I)、支持该脱模层的塑料支持层(II)和由金属或金属氧化物构成 的气体透过抑制层(III),该气体透过抑制层(III)形成于该脱模层和支持层之 间,且所述脱模膜在170℃下的二甲苯气体透过性为10-15kmol·m/(s·m2·kPa) 以下。

2.如权利要求1所述的脱模膜,其特征在于,所述氟树脂为乙烯/四氟乙 烯系共聚物。

3.如权利要求1或2所述的脱模膜,其特征在于,所述塑料支持层(II) 在170℃下拉伸200%时的拉伸强度为1MPa~100MPa。

4.如权利要求1所述的脱模膜,其特征在于,所述塑料支持层(II)由乙 烯/乙烯醇共聚物形成。

5.如权利要求1所述的脱模膜,其特征在于,所述气体透过抑制层(III) 形成于所述塑料支持层(II)上。

6.如权利要求1所述的脱模膜,其特征在于,所述气体透过抑制层(III) 是选自氧化铝及氧化镁的至少一种的氧化物层。

7.如权利要求1所述的脱模膜,其特征在于,所述气体透过抑制层(III) 是选自铝、锡、铬及不锈钢中的至少一种的金属层。

8.如权利要求1所述的脱模膜,其特征在于,在所述气体透过抑制层(III) 上形成树脂保护层(III’)。

9.如权利要求1所述的脱模膜,其特征在于,所述脱模膜的至少一面以 表面的算术表面粗糙度0.01~3.5μm被梨皮加工。

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