[发明专利]半导体树脂模塑用脱模膜无效
申请号: | 200780014091.2 | 申请日: | 2007-04-20 |
公开(公告)号: | CN101427358A | 公开(公告)日: | 2009-05-06 |
发明(设计)人: | 奥屋珠生;有贺广志;樋口义明 | 申请(专利权)人: | 旭硝子株式会社 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56;B29C33/68 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人: | 刘多益 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 树脂 模塑用 脱模 | ||
1.气体屏蔽性半导体树脂模塑用脱模膜,其特征在于,具有由氟树脂形 成的脱模层(I)、支持该脱模层的塑料支持层(II)和由金属或金属氧化物构成 的气体透过抑制层(III),该气体透过抑制层(III)形成于该脱模层和支持层之 间,且所述脱模膜在170℃下的二甲苯气体透过性为10-15kmol·m/(s·m2·kPa) 以下。
2.如权利要求1所述的脱模膜,其特征在于,所述氟树脂为乙烯/四氟乙 烯系共聚物。
3.如权利要求1或2所述的脱模膜,其特征在于,所述塑料支持层(II) 在170℃下拉伸200%时的拉伸强度为1MPa~100MPa。
4.如权利要求1所述的脱模膜,其特征在于,所述塑料支持层(II)由乙 烯/乙烯醇共聚物形成。
5.如权利要求1所述的脱模膜,其特征在于,所述气体透过抑制层(III) 形成于所述塑料支持层(II)上。
6.如权利要求1所述的脱模膜,其特征在于,所述气体透过抑制层(III) 是选自氧化铝及氧化镁的至少一种的氧化物层。
7.如权利要求1所述的脱模膜,其特征在于,所述气体透过抑制层(III) 是选自铝、锡、铬及不锈钢中的至少一种的金属层。
8.如权利要求1所述的脱模膜,其特征在于,在所述气体透过抑制层(III) 上形成树脂保护层(III’)。
9.如权利要求1所述的脱模膜,其特征在于,所述脱模膜的至少一面以 表面的算术表面粗糙度0.01~3.5μm被梨皮加工。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造