[发明专利]半导体树脂模塑用脱模膜

说明书

技术领域

本发明涉及半导体树脂模塑用脱模膜，特别涉及可降低模具污染的半导体 树脂模塑用脱模膜。

背景技术

通常，为了将半导体元件(芯片)从外部环境(外界气体、污染物质、光、 磁、高频波、冲击等)中保护、隔离起来，用树脂(模塑树脂)将其密封，以将 芯片收容于内部的半导体封装的形态安装在基板上。代表性的是通过传递成形 而形成的半导体封装，传递成形是指将环氧树脂等热固性树脂(模塑树脂)加热 熔融后，移送至安装了半导体芯片的模具内，使其填充、固化。在模塑树脂中 添加固化剂、固化促进剂、填充剂等的同时，为确保成形的封装从模具中的顺 畅的脱模性，还添加了脱模剂。

另一方面，随着人们对半导体封装的大幅度的生产性提高的需求，存在树 脂附着在模具上、需要频繁地清洗污染的模具，和对应于大型封装而采用低收 缩性密封树脂时、即使通过添加脱模剂也无法得到足够的脱模性等的问题，因 此，开发了使用树脂模塑用脱模膜(以下称为“脱模膜”)的技术，并取得了一 定的成果(例如，参照专利文献1～3等)，该技术是在以脱模膜被覆模具的树 脂成形部(模腔面)的状态下将树脂注入模具内，藉此在不使密封树脂与模具的 模腔面直接接触的情况下形成半导体封装。

然而，最近，用于半导体元件的封装的模塑树脂为应对环境问题，逐渐变 更为非卤化模塑树脂，此外，为应对半导体的细间距化(fine pitch)、薄型化、 叠层芯片封装化及LED等，模塑树脂的低粘度化和液态树脂化更进了一层。因 此，在半导体元件的树脂模塑工序中，来自高温环境下的熔融模塑树脂的气体 和低粘度物质的发生量增大，透过上述模塑用脱模膜的气体和低粘度物质与高 温的模具接触，模具污染更为严重。

此外，脱模膜的被覆是用真空使该膜吸附支持在模具面上来进行的，但是 膜中的低聚物(oligomer)等挥发性成分可能会移动至上述被吸附的模具侧，引 起模具污染。

即使是在上述使用脱模膜的情况下，安装膜的一侧的模具也容易被污染， 此外，一旦发生了污染，就会产生为了其洗净而不得不停止半导体的模塑工序， 使半导体的生产效率下降的问题。

另外，从该角度来看，上述专利文献1～2中记载了为减少透过的污染物 质，在脱模膜的一面(与模具面接触的面)形成金属或金属氧化物的蒸镀层的技 术方案。然而，该金属蒸镀层等是直接与模具面物理性地接触来使用的，金属 粉末等易从膜表面或膜的切面上剥离，其在半导体树脂模塑工序中的使用受到 限制。

此外，专利文献1～2中用二氧化碳气体的透过率规定了脱模膜的气体透 过性，但其作为评价来自树脂等的低粘度物质等的透过性的指标并不妥当。

另外，虽然脱模膜被要求与模塑树脂间具有较高的脱模性，但对于上述脱 模膜，存在未就这些问题作任何考虑，脱模性不足的问题。

此外，使用凹凸较大的形状的模具时，在树脂密封前使脱模膜真空吸附在 模具上的时候，该脱模膜被要求具有模具随动性，模具随动性是指可跟随模具 的该凹凸充分延伸至与其对应的周长。

专利文献1：日本专利特开2002-361643号公报(专利权利要求的范围(权 利要求1～权利要求3)，〔0002〕～〔0028〕)

专利文献2：日本专利特开2004-79566号公报(专利权利要求的范围(权利 要求1～权利要求3)〔0002〕～〔0015〕)

专利文献3：日本专利特开2001-250838号公报(专利权利要求的范围(权 利要求1～6)〔0002〕～〔0032〕)

发明的揭示

本发明的目的是提供基于上述背景被强烈要求开发的，与以往相比气体透 过性显著较低，且由模塑树脂导致的模具污染非常少的脱模膜。

此外，本发明的目的是通过气体透过率来规定可有效地抑制该模具污染的 脱模膜所必需的气体透过性，该气体透过率与来自作为模具污染物质的树脂等 的低粘度物质更实际地相对应。

本发明的目的还包括提供与模塑树脂间具有更高的脱模性的脱模膜。

藉由本发明，可提供下述具备粘接层的叠层体。