[发明专利]具有完全独立的部分阵列刷新功能的动态随机存取存储器

权利要求书

1.一种动态随机存取存储器(DRAM)设备，包括：

M个存储器子块，M为大于1的整数，每一子块具有多个字线，每一字 线连接多个数据存储单元，通过刷新操作刷新这些单元；以及

部分阵列自刷新配置寄存器(PASR)，用于在自刷新模式中单独控制M 个存储器子块的每一个的刷新；

命令控制器，用于接收命令信号并向PASR提供配置控制时钟，其中PASR 包括用于锁存从M个输入引脚输入的M位刷新数据的M个触发器。

2.权利要求1的DRAM设备，还包括：

第一地址产生电路，用于在所述自刷新模式中产生N个第一地址，N 为整数。

3.权利要求2的DRAM设备，还包括：

地址控制电路，用于响应N个第一地址和M位刷新数据的逻辑组合 控制所述存储器子块的刷新。

4.权利要求3的DRAM设备，其中，所述地址控制电路包括：

第一地址译码电路，包括

M个译码电路，用于译码所述第一地址来产生M个所译码的第一地 址输出，和

M个逻辑电路，用于逻辑组合所述M个所译码的第一地址输出和所 述M位刷新数据，从而产生M个第一地址。

5.权利要求4的DRAM设备，还包括：

第二地址产生电路，用于产生地址，所述第二地址产生电路包括M个 译码电路，用于译码所述第二地址来产生M个所译码的第二地址。

6.权利要求5的DRAM设备，其中，所述第一地址译码电路还包括：

子块选择电路，具有

M个选择电路，用于在刷新模式中选择M个所译码的第一地址或者 在非刷新模式中选择M个所译码的第二地址，所述M个所选择的地址指 定要刷新的存储器子块。

7.权利要求6的DRAM设备，其中：

所述第一地址产生电路包括内部地址发生器，用于产生内部地址作为 所述第一地址；和

所述第二地址产生电路包括外部地址发生器，用于产生外部地址作为 所述第二地址。

8.权利要求7的DRAM设备，其中：

命令控制器通过寄存器控制所述输入数据的锁存并探测所述刷新模 式，响应所述刷新模式的探测来控制所述地址产生电路的地址的产生和由 所述子块选择电路的选择。

9.权利要求8的DRAM设备，其中，所述命令控制电路包括：

模式探测电路，用于探测DRAM设备中的自刷新模式。

10.权利要求1的DRAM设备，还包括：

第一地址产生电路，用于在刷新模式中产生第一地址；和

第二地址产生电路，用于产生外部地址。

11.权利要求10的DRAM设备，还包括：

子块地址控制电路，用于响应第一地址、第二地址和所述M位刷新数 据的逻辑组合来控制所述存储器子块的刷新。

12.权利要求11的DRAM设备，其中，所述子块地址控制电路包括：

选择电路，用于在刷新模式中选择第一地址或者在非刷新模式中选择 第二地址用于产生所选择的地址。

13.权利要求12的DRAM设备，其中，所述子块地址控制电路还包 括：

地址译码电路，用于译码所选择的地址来产生M个所译码的地址。

14.权利要求13的DRAM设备，其中，所述子块地址控制电路还包 括：

子块选择电路，用于逻辑组合所述M个所译码的地址和所述M位刷 新数据以产生指定要刷新的存储器子块的M个所选择的地址。