[发明专利]CIS系薄膜太阳电池模块的改进的耐久性试验方法

权利要求书

1.一种CIS系薄膜太阳电池模块的改进的耐久性试验方法，是能够适当地对CIS系薄膜太阳电池模块的通过弱光照射而恢复变换效率等的特性进行评价的耐久性试验方法，其特征在于，

对作为上述耐久性试验的对象的CIS系薄膜太阳电池模块进行在温度85℃、相对湿度85％的比较高的温度、比较高的湿度的条件下在黑暗中保存1000小时的试验、即DampHeat试验时，保持上述温度、湿度以及保存时间不变，调整Xe灯等的强度使得来自模拟太阳光照射装置(太阳模拟器)的光成为与阴天的日照射量相当的弱光并在整个试验期间持续进行照射来测量各种太阳电池特性。

2.根据权利要求1所述的CIS系薄膜太阳电池模块的改进的耐久性试验方法，其特征在于，

上述弱光的辐射照度是100～300W/m²。

3.根据权利要求1或2所述的CIS系薄膜太阳电池模块的改进的耐久性试验方法，其特征在于，

上述CIS系薄膜太阳电池模块是如下模块：对通过图案化电连接多个CIS系薄膜太阳电池器件而成的CIS系薄膜太阳电池子模块，通过作为粘接剂的加热、交联的EVA树脂薄膜粘接玻璃盖片，在里面侧通过加热、交联的EVA树脂薄膜将底座粘接在玻璃基板上，在其下设置附有线缆的连接箱等，在该结构体的外围通过密封构件安装框架，其中，上述CIS系薄膜太阳电池器件是在玻璃基板上按照碱性势垒层、金属里面电极层(通常为Mo)、p型CIS系光吸收层、高电阻缓冲层、n型窗层(透明导电膜)的顺序依次层叠高质量薄膜层得到的衬底结构的pn异质结器件，上述光吸收层由多元化合物半导体薄膜、特别是I-III-VI₂族黄铜矿半导体例如二硒化铜铟(CuInSe₂：下面简称为CISe)、二硒化铜铟镓(CuInGaSe₂：下面简称为CIGSe)、二硒化铜镓(CuGaSe₂：下面简称为CGSe)、二硒硫化铜铟镓(Cu(InGa)(SSe)₂：下面简称为CIGSSe)、二硫化铜铟(CuInS₂：下面简称为CIS)、二硫化铜镓(CuGaS₂：下面简称为CGS)、二硫化铜铟镓(CuInGaS₂：下面简称为CIGS)、作为表面层具有薄膜的二硒硫化铜铟镓(Cu(InGa)(SSe)₂：CIGSSe)的二硒化铜铟镓(CuInGaSe₂：CIGSe)那样的p型半导体构成。