[发明专利]CIS系薄膜太阳电池模块的改进的耐久性试验方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种CIS系薄膜太阳电池模块的改进的耐久性试验方法。

背景技术

本案申请人的基本的CIS系薄膜太阳电池模块已经通过IEC61646(国际电机标准会议标准61646)(第一版)。已知通常在IEC61646(第一版)所采用的高温高湿保管试验(在温度85℃、相对湿度85％的比较高的温度和比较高的湿度的条件下，在黑暗中保管1000小时的试验)中，在1000小时的试验后CIS系薄膜太阳电池模块出现暂时的变换效率的劣化，但是通过试验后的光照射而恢复。

按照上述IEC61646(第一版)进行上述CIS系薄膜太阳电池模块的耐久性试验方法，但是关于各个试验事项，按照JIS中规定的太阳电池相关JIS项目(参照非专利文献1)，例如JISC8911:1998(二次基准结晶系太阳电池单元)、JIS C 8912:1998(结晶系太阳电池测量用太阳模拟器)、JI S C 8913:1998(结晶系太阳电池单元输出测量方法)、JI S C 8914:1998(结晶系太阳电池模块输出测量方法)等进行。

非专利文献1：太阳电池相关JIS目录(日本标准协会发行)。

实际上存在如下事例：如图5所示，在上述高温高湿保管试验之后，对CIS系薄膜太阳电池模块照射作为强光的辐射照度为1000W/m²的光，照射时间为50分钟至300分钟，由此性能恢复到初始变换效率的95％以上的范围。

目前还不明确CIS系薄膜太阳电池模块通过光照射从高温高湿保管试验后的暂时劣化中恢复的原因，这是关于CIS系薄膜太阳电池模块技术所残留的问题之一。

为了理解这种现象，本案申请人预测当在高温高湿保管试验期间对CIS系薄膜太阳电池模块连续固定时间照射光时不会出现任何劣化，并对关于CIS系薄膜太阳电池模块的耐久性试验进行了研究。

如上所述，CIS系薄膜太阳电池模块具有如下特性：在上述以往的、在黑暗中进行保管的高温高湿保管试验中，在1000小时的试验后出现暂时的变换效率的劣化，但是通过试验后的光照射会恢复，因而上述以往的高温高湿保管试验方法存在没有适当地评价CIS系薄膜太阳电池模块的耐久性的问题。

发明内容

发明要解决的问题

本发明是解决上述问题的发明，其目的在于提供一种能够进行与如下特性相应的适当且稳定的特性评价的改进的耐久性试验方法，其中，上述特性是指避免由以往的IEC61646(第一版)中规定的高温高湿保管试验(在温度85℃、相对湿度85％的比较高的温度和比较高的湿度的条件下，在黑暗中保管1000小时的试验)引起的CIS系薄膜太阳电池模块的变换效率的暂时劣化，通过对CIS系薄膜太阳电池模块照射光，变换效率等太阳电池特性恢复。

用于解决问题的方案

(1)本发明是一种能够适当地对CIS系薄膜太阳电池模块的通过弱光照射而恢复变换效率等的特性进行评价的耐久性试验方法，对作为上述耐久性试验的对象的CIS系薄膜太阳电池模块进行在温度85℃、相对湿度85％的比较高的温度、比较高的湿度的条件下在黑暗中保存1000小时的试验、即DampHeat试验时，保持上述温度、湿度以及保存时间不变，调整Xe灯等的强度使得来自模拟太阳光照射装置(太阳模拟器)的光成为与阴天的日照射量相当的弱光并在整个试验期间持续进行照射来测量各种太阳电池特性。

(2)本发明是上述弱光的辐射照度是100～300W/m²的、上述(1)所述的CIS系薄膜太阳电池模块的改进的耐久性试验方法。