[发明专利]微机电系统（MEMS）可变电容器、激励部件及相关方法

说明书

相关申请

这里公开的主题要求享有2006年3月8日提交的美国临时专利申请No.60/780544以及2006年3月8日提交的美国临时专利申请No.60/780565的权益，在此通过引用将其全文并入本文。

技术领域

本文披露的主题总体上涉及MEMS部件。更具体而言，本文披露的主题涉及MEMS可变电容器、激励部件及方法。

背景技术

已经发现MEMS对于各种消费者、工业和军事应用都是有用的。大部分MEMS器件都是利用标准集成电路(IC)工艺结合专门的微切削加工工艺制造在半导体衬底(例如硅、砷化镓、绝缘体上硅等)上。经常把这些制造技术统称为微制造工艺。

最近，人们对制造用于各种大容量通信应用的MEMS射频(RF)器件和系统产生了很大兴趣。由于材料的质量高，近年来工艺的发展以及预计会实现MEMS与集成电路的直接单片集成，因此通常一直在传统半导体材料(主要是硅晶片)上实现基于MEMS的RF部件和系统。这种方式对于RF和微波器件的性能和潜在商业化方面具有若干缺点。具体而言，硅衬底的介电损耗在1GHz以上和金属化薄层电阻高的情况下非常高。此外，这种MEMS部件可能会对下方和周围的电路产生RF干扰，反之亦然。

生产符合特定性能要求的MEMS可变电容器也是有益的。例如，希望能提供在不同频率范围内具有高品质因数(Q)的MEMS可变电容器。而且，还希望能够提供电容比(可变电容器的最小电容与最大电容之比)得到改善的MEMS可变电容器。可以通过为可变电容器提供最小的寄生固定电容和高电容状态下最大的电容来实现电容比。还希望将MEMS电路的RF部分与衬底噪声和损耗高度地隔离开。

鉴于上述情况，希望能提供改进的MEMS可变电容器、激励部件和方法。

发明内容

根据本公开，提供了新颖的MEMS可变电容器、激励部件和相关方法。

因此，本公开的目的是提供新颖的MEMS可变电容器、激励部件和相关方法。该目的和其他目的将通过本公开而变得明了，并且且通过本文所述的主题至少全部或部分地实现这些目的。

附图说明

现在将参考附图描述本文所述的主题，在附图中：

图1A-1F是根据本文所述主题的一个实施例的MEMS可变电容器的不同视图；

图2是根据本文所述主题的一个实施例的MEMS可变电容器的顶部透视图；

图3A-3C是根据本文所述主题的一个实施例的MEMS可变电容器的不同视图；

图4是根据本文所述主题的实施例的、具有基本彼此平行延伸的馈电线(feedline)的MEMS可变电容器的顶视图；

图5是根据本文所述主题的实施例的、具有MEMS可变电容器和连接到交替的馈电焊盘(feed pad)的馈电线的MEMS可变电容器系统的顶视图；

图6A是根据本文所述主题的实施例的、具有MEMS可变电容器和馈电线的MEMS可变电容器系统的顶视图；

图6B是根据本文所述主题的实施例的、具有两套悬臂梁式可变电容器和馈电线的MEMS可变电容器系统的顶视图；

图6C是根据本文所述主题的实施例的、具有两套悬臂梁式可变电容器和馈电线的另一MEMS可变电容器系统的顶视图；

图7是根据本文所述主题的实施例的、具有MEMS可变电容器和馈电线的MEMS可变电容器系统的顶视图；

图8A是根据本文所述主题的实施例的、具有MEMS可变电容器和馈电线的MEMS可变电容器系统的顶视图；

图8B是根据本文所述主题的实施例的、具有MEMS可变电容器和馈电线的MEMS可变电容器系统的顶视图；

图9是根据本文所述主题的实施例的、具有MEMS可变电容器和馈电线的MEMS可变电容器系统的顶视图；

图10是根据本文所述主题的实施例的、具有MEMS可变电容器和馈电线的MEMS可变电容器系统的顶视图；

图11是根据本文所述主题的实施例的、具有MEMS可变电容器和馈电线的MEMS可变电容器系统的顶视图；

图12是根据本文所述主题的实施例的、具有MEMS可变电容器和馈电线的MEMS可变电容器系统的顶视图；

图13是根据本文所述主题的实施例的、具有MEMS可变电容器和馈电线的MEMS可变电容器系统的顶视图；

图14是根据本文所述主题的实施例的、具有MEMS可变电容器和馈电线的MEMS可变电容器系统的顶视图；

图15是根据本文所述主题的实施例的、具有MEMS可变电容器和馈电线的MEMS可变电容器系统的顶视图；