[发明专利]半导体装置及其制造方法无效
申请号: | 200780016707.X | 申请日: | 2007-02-01 |
公开(公告)号: | CN101438403A | 公开(公告)日: | 2009-05-20 |
发明(设计)人: | 关谷洋纪;大部利春;森川龙一;二宫豪;平本裕行 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝 |
主分类号: | H01L23/36 | 分类号: | H01L23/36;H01L25/07;H01L25/11;H01L25/18 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 许海兰 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种半导体装置及其制造方法,特别是涉及一种应用在逆变器等中的功率晶体管、晶闸管、功率模块、功率IC等电力用半导体装置的冷却技术。
背景技术
在家电设备、节能直接驱动器或智能致动器、车辆马达驱动用等逆变器控制电力设备等中,使用功率IC、功率模块等统称为功率设备的电力用半导体装置。
图1是表示以往的通常的半导体装置的构造的截面图。在该半导体装置中,一般形成有将树脂盒101和放热板102组合而成的容器,在容器的内部容纳有包含半导体元件的部件,其中,上述树脂盒101由如聚苯硫醚(polyphenylene sulfide)或聚对苯二甲酸丁二醇酯(polybutylene terephthalate)等那样的树脂形成,上述放热板102由铜、铜合金或金属基复合材料等金属形成。放热板102还通过热传导性润滑脂112被安装于冷却器103。通过将放热板102与冷却器103进行螺旋固定,保持与热传导性润滑脂112之间的紧密接合性。
在放热板102上,焊接有绝缘基板104,通过绝缘基板104上的导电箔105而配置有作为电路部件的半导体元件106和焊线(bondingwire)107。另外,设置有外部连接端子108,该外部连接端子108的一端通过焊线107连接于半导体元件106,另一端引出到外部。并且,在树脂盒101的内部,填充有由硅凝胶(silicon gel)、环氧树脂(epoxyresin)、其它树脂材料构成的密封树脂109。密封树脂109还被环氧树脂等的固态树脂110密封,在该固态树脂110上固定有由与树脂盒同种或不同的材料构成的端子保持架111。另外,有时省略固态树脂110,端子保持架111作为盖子而配置在树脂盒101的全面。通过该构造,实现具有比较优良的电气特性和可靠性的半导体装置。
另外,在半导体元件106的工作温度为超过100℃的高温、并且是在高电压(kV级)下使用的电力用半导体装置的情况下,需要使用使半导体元件106的发热迅速地放出到放热板102、并且具有较高的绝缘性的材料来作为设置在半导体元件106与放热板102之间的绝缘基板104。因此,在图1所示的以往的半导体装置中,作为绝缘基板104而使用由热传导性和绝缘特性优良的氮化铝等陶瓷构成的材料,使热传导性润滑脂112介于放热板102与冷却器103之间,由此有效地将热从放热板102放出到冷却器103。
在如上述那样构成的以往的半导体装置中,介于放热板102与冷却器103之间的热传导性润滑脂112通过被设置在半导体装置周围的安装螺钉而使放热板102加压接触到冷却器103。但是,存在如下问题:由于螺钉的紧固力的差异、放热板102、冷却器103、或其两者的变形等而使加压力变得不均匀,接触热电阻变得不均匀。
另外,由于绝缘基板104的厚度薄且热容量较小,因此无法期待使在半导体元件106中产生的热进行扩散的效果。因此,特别是在半导体元件106的温度上升变大的半导体装置的起动时,存在过渡时的热电阻变大、过渡温度上升变大的问题。另外,在如上所述的放热板102与冷却器103之间,在接触热电阻暂时增大时,也存在温度上升变大、冷却效率降低的问题。
并且,由陶瓷构成的绝缘基板104的线膨胀系数与由金属构成的放热板102的线膨胀系数存在较大的差异。因此,由于伴随半导体装置工作时的发热的热膨胀的差异而引起放热板102发生变形。由此,发生如下的反复现象:在放热板102与冷却器103之间的距离开放到组装时的热传导性润滑脂112的涂敷厚度以上,停止工作时或发热少时,其变形恢复到原来的距离。通过该反复现象可观察到热传导性润滑脂112从接触面逐渐被挤出的现象。其结果,存在如下问题:放热板102与冷却器103之间的热传导性润滑脂112的量变得不充分,接触热电阻显著地增大,导致半导体元件106的热失控。
为了解决这种诸多问题,在日本国特许公报特开2005-348529号中公开了如下的逆变器装置:该逆变器装置通过提高电力用半导体装置的冷却效率,来实现逆变器装置的通电容量的提高以及小型化,并且制造性优良。图2是表示安装有在日本国特许公报特开2005-348529号中所公开的半导体装置的半导体元件的部分的构造的截面图。在该半导体装置中,多个半导体元件106被焊接于多个导体13~15,导体13~15通过绝缘体12接合于放热板11。
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