[发明专利]用于制备铜布线聚酰亚胺膜的方法和铜布线聚酰亚胺膜

权利要求书

1.一种用于制备铜布线聚酰亚胺膜的方法，所述铜布线聚酰亚胺膜具有间距为20至45μm的铜布线部分，所述方法使用具有载体的铜箔层压聚酰亚胺膜，通过半添加法进行，所述方法包括下列步骤：

a.提供铜箔层压膜，所述铜箔层压膜包含一个或多个被直接层压在所述聚酰亚胺膜的一侧或两侧上的铜箔；所述铜箔在被层压到所述聚酰亚胺膜上的那一侧具有1.0μm以下的表面粗糙度Rz，并且所述铜箔具有在0.5至2μm的范围内的厚度，

b.形成镀敷抗蚀剂图案层，所述镀敷抗蚀剂图案层能够在所述步骤a中提供的所述铜箔层压膜的所述铜箔的表面上形成具有间距为20至45μm的铜布线部分的布线图案；所述镀敷抗蚀剂图案层具有与所述布线图案相应的开口部分，

c.在从所述开口暴露的铜箔部分上进行镀铜，

d.去除在所述铜箔上的所述镀敷抗蚀剂图案层，和

e.去除暴露在其中已经去除所述镀敷抗蚀剂图案层的部分上的所述铜箔，由此暴露出所述聚酰亚胺膜。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述步骤a包括下列步骤：

a-1.提供具有载体的铜箔层压聚酰亚胺膜，其中一个或多个铜箔在被层压到所述聚酰亚胺膜上的那一侧具有1.0μm以下的表面粗糙度Rz，并且所述一个或多个铜箔具有在1至8μm的范围内的厚度，

a-2.从所述铜箔层压聚酰亚胺膜上剥离所述载体，和

a-3.任选地，通过蚀刻将所述铜箔的厚度变薄至在0.5至2μm的范围。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述步骤a的所述厚度在0.5至2μm的范围内的铜箔是已经进行了蚀刻处理的铜箔。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述步骤b包括：在所述铜箔的表面上形成镀敷抗蚀剂层的步骤、通过光掩模曝光的步骤、以及通过显影以形成所述镀敷抗蚀剂图案层的开口部分的步骤。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述步骤e是通过闪蚀刻进行的。 

6.根据权利要求2所述的方法，其中所提供的所述具有载体的铜箔层压聚酰亚胺膜中的所述铜箔的厚度在2至4μm的范围内。

7.根据权利要求1所述的方法，其中通过将一个或多个热压粘合聚酰亚胺层层压在高耐热性芳族聚酰亚胺层的一侧或两侧上并且形成整体，获得构成所提供的所述具有载体的铜箔层压聚酰亚胺膜的所述聚酰亚胺膜。

8.一种铜布线聚酰亚胺膜，所述铜布线聚酰亚胺膜包含间距为20至45μm的铜布线部分，并且是通过权利要求1至7中任一项所述的方法制备的。

9.一种具有载体的铜箔层压聚酰亚胺膜，所述铜箔层压聚酰亚胺膜包含聚酰亚胺膜和具有载体的铜箔，所述具有载体的铜箔被直接层压在所述聚酰亚胺膜的一侧或两侧上，其中所述铜箔在被层压到所述聚酰亚胺膜上的那一侧具有1.0μm以下的表面粗糙度Rz，并且所述铜箔具有在1至8μm的范围内的厚度。

10.一种铜箔层压聚酰亚胺膜，所述铜箔层压聚酰亚胺膜包含聚酰亚胺膜和具有载体的铜箔，所述具有载体的铜箔被直接层压在所述聚酰亚胺膜的一侧或两侧上，其中所述铜箔在被层压到所述聚酰亚胺膜上的那一侧具有1.0μm以下的表面粗糙度Rz，并且所述铜箔具有0.5至2μm的范围内的厚度，并且其中所述铜箔已经进行了蚀刻处理。