[发明专利]用于制备铜布线聚酰亚胺膜的方法和铜布线聚酰亚胺膜

说明书

技术领域

本发明涉及一种使用具有载体的铜箔层压聚酰亚胺膜，通过半添加法(semi-additive method)制备具有精细布线的铜布线聚酰亚胺膜的方法。

背景技术

因为铜箔层压聚酰亚胺膜具有优异的性能，例如细薄和重量轻，因此它们已经用于高性能电子器件，特别是用于具有高密度布线的柔性印刷电路板(FPC)、带式自动接合(TAB)等，而高密度布线适合于减小尺寸和重量。随着电子器件的高密度集成和细化，需要布线板响应高密度装配。

作为用于对合成树脂膜和金属的层压体制备更加微细的布线图案的方法，已经提出了一种用于将金属层的厚度变薄的方法(例如，参考专利文件1至3)。专利文件1公开了一种覆金属层压体，该覆金属层压体具有在合成树脂膜的一侧或两侧上形成的金属层，其中金属层是不大于5微米的金属箔。具体而言，已经描述了使用厚度为3μm并且线和间隔为25μm和25μm(间距50μm)的铜箔形成电路。专利文件2公开了一种覆铜层压体，该覆铜层压体包含厚度为1至8μm的铜箔、含有作为主要组分的热塑性聚酰亚胺树脂的粘合剂层以及耐热性膜。专利文件3的权利要求公开了一种覆金属层压体，其中在非热塑性聚酰亚胺膜的至少一侧上形成热塑性聚酰亚胺膜，并且在热塑性树脂层的表面上层压铜箔，其中该铜箔的厚度不大于5μm。

然而，如果蚀刻图案形状不好，并且如果进一步追求精细的间距，则预期到绝缘性能和可靠性劣化。因此，据认为仅仅通过使铜箔变薄，对精细间距存在限制。此外，当铜箔过薄时，作为导体的可靠性也被认为降低。因此，作为最终产品，需要具有精细图案，同时具有适当的铜层厚度的铜布线聚酰亚胺膜。

顺便提及，在专利文件4至6中，为了改善布线图案的可见性，已经描述了使铜箔的与膜粘合的那一侧上的粗糙度变小(例如，Rz不大于1.0μm(参考专利文件4和5))。然而，既没有提出其对具有薄厚度的铜箔的任何应用，也没有提到其用于制备精细间距的任何应用。

专利文件1：国际公布WO2002/034509

专利文件2：日本公开专利公布2002-316386

专利文件3：日本公开专公布2003-071984

专利文件4：日本公开专公布2004-042579

专利文件5：日本公开专公布2004-098659

专利文件6：国际公布(WO)WO03/096776

发明内容

本发明所要解决的问题

本发明的一个目的是提供一种使用具有载体的铜箔层压聚酰亚胺膜，通过半添加法制备铜布线聚酰亚胺膜的方法，所述铜布线聚酰亚胺膜具有间距超细并且直线性优异的布线。

解决问题的手段

本发明涉及下列内容：

1.一种用于制备铜布线聚酰亚胺膜的方法，所述铜布线聚酰亚胺膜具有间距为20至45μm的铜布线部分，所述方法使用具有载体的铜箔层压聚酰亚胺膜，通过半添加法进行，所述方法包括下列步骤：

(a)提供铜箔层压膜，所述铜箔层压膜包含直接层压在聚酰亚胺膜的一侧或两侧上的一个或多个铜箔；所述铜箔在被层压到所述聚酰亚胺膜上的那一侧具有1.0μm以下的表面粗糙度Rz，并且所述铜箔具有在0.5至2μm的范围内的厚度，

(b)形成镀敷抗蚀剂图层，所述镀敷抗蚀剂图案层能够在步骤(a)中提供的铜箔层压膜的铜箔的表面上形成具有间距为20至45μm的铜布线部分的布线图案；所述镀敷抗蚀剂图案层具有与布线图案相应的开口部分，

(c)在从开口暴露的铜箔部分上进行镀铜，

(d)去除在所述铜箔上的镀敷抗蚀剂图案层，和

(e)去除暴露在其中已经移除镀敷抗蚀剂图案层的部分上的铜箔，由此暴露出聚酰亚胺膜。

2.根据上述项1所述的方法，其中所述步骤(a)包括下列步骤：

(a-1)提供具有载体的铜箔层压聚酰亚胺膜，其中所述一个或多个铜箔在被层压到所述聚酰亚胺膜上的那一侧具有1.0μm以下的表面粗糙度Rz，并且所述一个或多个铜箔具有在1至8μm的范围内的厚度，

(a-2)从所述铜箔层压聚酰亚胺膜上剥离载体箔，和

(a-3)任选地，通过蚀刻将铜箔的厚度变薄至0.5至2μm的范围。

3.根据上述项1或2所述的方法，其中步骤(a)的厚度在0.5至2μm的范围内的铜箔是经过蚀刻处理的铜箔。

4.根据上述项1至3中任一项所述的方法，其中步骤(b)包括在铜箔的表面上形成镀敷抗蚀剂层的步骤、通过光掩模曝光的步骤，以及通过显影形成镀敷抗蚀剂图案层的开口部分的步骤。