[发明专利]用于在有机发光二极管(OLED)中将非发射区与光发射区分离的方法无效
申请号: | 200780018896.4 | 申请日: | 2007-05-11 |
公开(公告)号: | CN101454923A | 公开(公告)日: | 2009-06-10 |
发明(设计)人: | H·F·博尔纳;H·-P·洛布尔 | 申请(专利权)人: | 皇家飞利浦电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L27/32 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 周红力;谭祐祥 |
地址: | 荷兰艾*** | 国省代码: | 荷兰;NL |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 有机 发光二极管 oled 中将 发射 区分 方法 | ||
1.一种方法,用于在有机发光二极管(OLED)(1)中将至少一个非发射区(16)与至少一个发射区(15)分离,所述有机发光二极管包括作为载体的基底材料(10),其中所述基底材料(10)被至少一个阳极层(11)和至少一个阴极层(13)覆盖和/或叠加,其中至少一个功能层(12)夹在这些层(11,13)之间以用于发光,其中在阳极层(11)和阴极层(13)之间施加电压使得在发射区(15)中引起光的发射,以及其中至少一个非发射区(16)的分离是通过将凹槽(14)刻划到至少所述阳极和/或所述阴极层(11,13)中以便将至少一个层(11,13)内的从发射区(15)到非发射区(16)的电流隔断来实现的,其中所述凹槽(14)通过应用刻划工具(17)的机械刻划来实现。
2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,包括精细切割点的机械装置用作刻划工具(17)。
3.如权利要求1或2所述的方法,其特征在于,针、刀、刀片或刻刀用作所述刻划工具(17)。
4.依照前面任何权利要求的方法,其特征在于,所述凹槽(14)实现为闭合内部轮廓(18),其产生该闭合内部轮廓(18)的内部区域与外部区域的电气分离。
5.依照前面任何权利要求的方法,其特征在于,阳极层(11)实现为氧化铟锡层,其中该氧化铟锡层通过刻划工具(17)刻划以在该层内产生凹槽(14),以便使得凹槽带两侧之间的电流隔断。
6.如权利要求1-4所述的方法,其特征在于,阴极层(13)实现为铝层,其中该铝层通过刻划工具(17)刻划以在该层内产生凹槽(14),以便隔断所述凹槽带两侧之间的电流。
7.依照前面任何权利要求的方法,其特征在于,刻划工具(17)在OLED(1)上的运动通过手工来处理。
8.如权利要求1-6所述的方法,其特征在于,刻划工具(17)在OLED(1)上的运动通过处理系统来处理。
9.有机发光二极管(OLED)(1),包括作为载体的基底材料(10),其中所述基底材料(10)被至少一个阳极层(11)和至少一个阴极层(13)覆盖和/或叠加,其中至少一个功能层(12)夹在这些层(11,13)之间以用于发光,其中在阳极层(11)和阴极层(13)之间施加电压使得在至少一个发射区(15)中引起光的发射,其中OLED(1)具有至少一个非发射区(16),所述非发射区(16)通过将凹槽(14)刻划到至少所述阳极和/或所述阴极层(11,13)中以便将至少一个层(11,13)内的从发射区(15)到非发射区(16)的电流隔断来形成,其中至少一个包括凹槽(14)的层(11,12,13)在整个表面上具有均匀外观而没有任何热效应,其中特别地所述凹槽(14)的带不受热效应的影响。
10.如权利要求9所述的有机发光二极管(OLED)(1),其特征在于,实现用于将凹槽(14)刻划到至少一个层(11,12和/或13)中的装置不用激光辐射。
11.如权利要求9或10所述的有机发光二极管(OLED)(1),其特征在于,用于将凹槽(14)刻划到至少一个层(11,12和/或13)中的装置为机械刻划工具(17)。
12.如权利要求9-11所述的有机发光二极管(OLED)(1),其特征在于,凹槽(14)表现出闭合内部轮廓(18)的特征,其获得非在闭合内部轮廓(18)内非发射区(16)的明显电流分离。
13.如权利要求9-12所述的有机发光二极管(OLED)(1),其特征在于,热点特别是电气短路位于闭合内部轮廓(18)内。
14.如权利要求9-13所述的有机发光二极管(OLED)(1),利用依照权利要求1-8的方法。
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