[发明专利]用于在有机发光二极管（OLED）中将非发射区与光发射区分离的方法

说明书

技术领域

本发明涉及用于在有机发光二极管(OLED)中将至少一个非发射区与至少一个发射区分离的方法，所述有机发光二极管包括作为载体的基底材料，其中所述基底材料被至少一个阳极层和至少一个阴极层覆盖和/或叠加，其中至少一个功能层夹在这些层之间以用于发光，其中在阳极层和阴极层之间施加电压在发射区中引起光的发射。

背景技术

基于有机发光二极管(OLED)的照明设备作为优良的平板系统引起了很大的兴趣。这些系统利用了穿过有机材料薄膜的电流来产生光。所发出的光的颜色以及从电流到光的能量转换的效率由有机薄膜材料的成分决定。然而，这些OLED包括作为载体层的基底材料，其可以由玻璃或有机材料制成，或者由诸如金属薄片之类的非透射材料制成。此外，有机发光二极管包括至少一个层厚度约为100nm的非常薄的有机物质层，所述有机物质层在覆盖了导电和光学透明氧化物的玻璃基底上。该有机层通常实现为氧化铟锡(ITO)。

通常，所述ITO层形成阳极并且铝层形成阴极，其中所述铝层表现出厚度大约为100nm并且因而厚度类似于所述ITO层的特征。这种厚度的铝用作反射镜，从而发射仅仅通过透明ITO阳极以及透明基底。如果阴极金属薄得足以是部分透明的，那么部分光也可以通过该阴极发出。当在阳极和阴极之间施加2V和大约10V之间的电压时，电荷被注入到这些有机层中，并且该有机叠层发出光。

在为例如氧化铟锡(ITO)层的阳极层和比如铝层的阴极层之间设置了若干功能层，其可以是空穴注射层、空穴传输层、可以实现为荧光和/或磷光发射层的发射层、空穴阻挡层、电子传输层和/或附加地电子注射层，其中这些层表现出厚度大约为5nm-100nm的特征。所述OLED还可以包括上述OLED叠层，其由诸如ITO或薄金属膜之类的传导层或者由所谓的电荷发生层分离，所述电荷发生层包括其间具有和没有载体层的p掺杂n掺杂层。根据层的堆叠，通过穿过铝阴极进行发射的顶部发射或者通过使光穿过ITO层的底部发射可以代表不同类型的有机发光二极管。

阳极和/或阴极的电源可以通过电接触来实现，其通过OLED面板的至少一个边缘供应电流。如果OLED面板内的区域必须与该电流源解耦合以便使得这些区域为暗区，那么必须将该面板分离成发射区和非发射区。发射区由电流供应，而非发射区通过在整个OLED面板内实现电气中断或中止来与电流源分离。非发射区和发射区的分离通常由激光辐射来实现，其中激光辐射在受覆盖的层内部形成凹槽，这意味着电流被这些凹槽所中断。通常，这些凹槽表现出闭合内部轮廓的特征，以实现对电流的可靠中断。

这种技术对于切除整个OLED面板内部的热点(hotspot)可能是必要的，其例如可能是电气短路(electrical short)，并且使得OLED不可操作。如果这些电气短路不与发射区分离，那么整个OLED面板都可能被破坏。因此，有必要切除这些热点以挽救OLED面板的其余部分。特别地，由于有机层和叠加的铝阴极的厚度只有200nm，因而它们可能容易受到损坏。特别在面板的边缘处，可能出现电气短路，其必须从发射区的其余部分电气地切除出去。产生非发射区的另一个应用可以在OLED面板内部的图形、绘画或文字(scripture)的制作中看到，其中基于非发射区内暗区的外观，图形或文字可以应用于可替换类型的霓虹写入，以用于标记、信号、私人用途，或者如果发信号的话用于任何其他类型。

除了在操作期间制作失败，OLED有时发生短路，其趋向于完全破坏所述设备，因为它们通常生长到该设备的边缘。用于克服这个问题的一种方法是借助于通过玻璃基底的激光束来切除短路区。激光切除将将问题区域与阴极以及可能还有阳极从电气上隔离，而不产生新的短路。该方法能可靠地起作用，但是需要相当昂贵的设备。激光切除也可用来通过使所述设备的某些区域变黑而在OLED中形成图案，但是处理和操作中成本近乎高昂。