[发明专利]用于对容器或物品进行表面处理的方法和装置无效

专利信息
申请号: 200780019292.1 申请日: 2007-03-26
公开(公告)号: CN101484249A 公开(公告)日: 2009-07-15
发明(设计)人: S·格罗塞;J·劳施纳贝尔;J·费施廷格;C·赫韦格 申请(专利权)人: 罗伯特·博世有限公司
主分类号: B05D7/24 分类号: B05D7/24;B05D7/22;B05D3/14;C23C16/04;C23C16/452
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 代理人: 曾 立
地址: 德国斯*** 国省代码: 德国;DE
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摘要:
搜索关键词: 用于 容器 物品 进行 表面 处理 方法 装置
【权利要求书】:

1.一种用于尤其是在容器或物品的内部进行表面处理的方法,其特征在于, 待处理的表面在至少一个方法步骤中经历功能等离子体(4)和/或涂覆用的等离子 体(7)。

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述待处理的表面在一个方法 步骤中经历所述功能等离子体(4)、优选经历一种净化用的和/或提高润湿能力的 等离子体(4),和/或在另一个工序上相连的方法步骤中经历所述涂覆用的等离子 体(7)。

3.根据权利要求1或2所述的方法,其特征在于,所述功能等离子体(4)和 涂覆用的等离子体(7)由相同的等离子体源(2)产生,该等离子体源布置在容 器或物品(1)的内部或外部。

4.根据权利要求1、2或3所述的方法,其特征在于,在大气压下或在轻微的 负压下借助第一工作气体实现所述功能等离子体(4)并且借助第二工作气体或流 体实现所述涂覆用的等离子体(7)。

5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,所述第一工作气体为氩、氮、 氢、氧或其组合之一;所述第二工作气体或流体为用于分离硅氧化物层的含硅单 体或者用于分离待处理的表面上的碳层的含碳单体。

6.根据上述权利要求中任一项所述的方法,其特征在于,所述方法附加地用 于硅层的交联。

7.一种用于实施根据上述权利要求中任一项所述方法的装置,其特征在于, 为了进行表面处理、如尤其是对容器或物品(1)的内表面进行涂覆,可在所述一 个方法步骤和所述另一个方法步骤期间将一等离子体源(2,3)置入到所述容器 或物品(1)的内部,并且设置有用于导入所述第一和第二工作气体或流体的机构。

8.一种用于实施根据权利要求1至6中任一项所述方法的装置,其特征在于, 为了进行表面处理、如尤其是对容器或物品(1)的内表面进行涂覆,在所述一个 方法步骤和所述另一个方法步骤期间在外部在所述容器或物品(1)上存在一等离 子体源(10,11),并且设置有用于导入所述第一和第二工作气体或流体的机构。

9.根据权利要求7或8所述的装置,其特征在于,所述等离子体源为用于产 生高频振荡的装置(10,11)。

10.根据权利要求8所述的装置,其特征在于,所述等离子体源(2,3)是用 于感应式、电容式或基于微波地输入耦合功率的微等离子体源,该微等离子体源 可以通入到所述待处理的容器或物品(1)的内部。

11.根据权利要求10所述的装置,其特征在于,所述微等离子体源与一电子 射线源相结合地使用。

12.根据权利要求7、8或9所述的装置,其特征在于,所述等离子体源是布 置在所述容器或物品(1)的外部的、用于感应式、电容式或基于微波地输入耦合 功率的装置(10,11)。

13.根据权利要求8至12中任一项所述的装置,其特征在于,所有方法步骤 中的等离子体(13)均在所述待处理的容器或物品(1)的外部产生并且可借助于 一个用于产生气流的装置(14)引入到一个或多个容器或物品(1)中。

14.根据权利要求7至13中任一项所述的装置,其特征在于,所述容器或物 品(1)由塑料制成。

15.根据权利要求7至14中任一项所述的装置,其特征在于,所述等离子体 源(2)与一个在接触所述待处理表面的物品上的测力计这样地耦合,使得在用于 压入所述物品(1)的力消耗的给定值被偏离时,等离子体源被这样地补偿调节, 使得接下来的待处理的表面又具有给定范围内的摩擦阻力。

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