[发明专利]用于等离子处理系统的最小化掩模的底切及刻痕的方法

权利要求书

1.在等离子处理室中，用于蚀刻其上具有硅层的基板的方法，所述等离子处理室具有底电极，在所述蚀刻期间所述基板设置在所述底电极上，包括：

执行主蚀刻步骤；

当达到所述硅层内预先确定的蚀刻深度时，终止所述主蚀刻步骤，所述预先确定的蚀刻深度为所述硅层厚度的70％-95％；

执行过蚀刻步骤，所述过蚀刻步骤包括第一工艺步骤、第二工艺步骤、以及第三工艺步骤，所述第一工艺步骤采用第一工艺制法，所述第二工艺步骤采用第二工艺制法，所述第三工艺步骤采用第三工艺制法，所述第一工艺制法包括第一气体混合物且配置为用施加至所述底电极的第一底部偏压电平来执行，所述第二工艺制法包括第二气体混合物且配置为用施加至所述底电极的高于所述第一底部偏压电平的第二底部偏压电平来执行，所述第三工艺制法包括第三气体混合物且配置为用施加至所述底电极的低于所述第二底部偏压电平的第三底部偏压电平来执行，其中所述第一工艺步骤、所述第二工艺步骤以及所述第三工艺步骤交替执行多次，且其中所述第一气体混合物、所述第二气体混合物及所述第三气体混合物不同；以及

在所述硅层被蚀刻穿后，终止所述过蚀刻步骤。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述第二工艺制法配置为比所述第一工艺步骤采用的所述第一工艺制法以及所述第三工艺步骤采用的所述第三工艺制法从所述硅层去除更多的硅材料。

3.如权利要求1所述的方法，其中所述第一工艺制法包括使用聚合物形成气体。

4.如权利要求1所述的方法，其中所述第二工艺制法包括使用氟基气体。

5.如权利要求1所述的方法，其中所述第三工艺制法包括使用氧基气体。

6.如权利要求1所述的方法，其中所述聚合物形成气体包括C₄F₈。

7.如权利要求1所述的方法，其中所述氟基气体包括SF₆。

8.如权利要求1所述的方法，其中所述氧基气体包括O₂。

9.如权利要求1所述的方法，其中所述主蚀刻步骤包括所述主蚀刻步骤的第一工艺步骤以及所述主蚀刻步骤的第二工艺步骤，所述主蚀刻步骤的第一工艺步骤采用用于所述主蚀刻步骤的第一工艺制法，其配置为比由所述主蚀刻步骤的第二工艺步骤采用的用于所述主蚀刻步骤的第二工艺制法从所述硅层去除更多的硅材料，用于所述主蚀刻步骤的第一工艺制法采用的气体混合物不同于所述主蚀刻步骤的第二工艺步骤采用的气体混合物。

10.如权利要求1所述的方法，其中所述预先确定的蚀刻深度为所述硅层厚度的至少80％。

11.如权利要求1所述的方法，其中所述预先确定的蚀刻深度为所述硅层厚度的至少90％。

12.如权利要求1所述的方法，其中所述第一工艺步骤的第一持续时间与所述第二工艺步骤的第二持续时间以及所述第三工艺步骤的第三持续时间相同。

13.如权利要求1所述的方法，其中所述第一工艺步骤的第一持续时间与所述第二工艺步骤的第二持续时间或者所述第三工艺步骤的第三持续时间不同。

14.如权利要求1所述的方法，其中所述第一工艺步骤、所述第二工艺步骤以及所述第三工艺步骤持续0.5秒至5秒。

15.如权利要求1所述的方法，其中所述终止过蚀刻步骤用光学发射终点法决定。