[发明专利]半导体装置的制造方法、半导体制造装置和存储介质

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，其为对形成有规定的图案的半导体装置制造用的基板进行蚀刻处理或成膜处理的半导体装置的制造方法，其中，该规定的图案是由开口形成的图案，该半导体装置的制造方法的特征在于，包括：

将液体和气体混合，在所述液体中产生直径比所述半导体装置制造用的基板上形成的所述开口的尺寸更小、且通过液体和气体的混合而带电的纳米泡的工序，其中，该液体和气体的至少一方含有参与蚀刻处理或成膜处理的成分；

为了将所述纳米泡引至所述基板的表面而形成电场的工序；和

形成所述电场，同时向所述基板供给含有所述纳米泡的液体并进行处理的工序。

2.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，还包括：

在进行所述处理的工序之后进行的、向所述基板供给洗涤液对所述基板进行洗涤的工序。

3.如权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，还包括：

在进行所述洗涤的工序之后进行的、向所述基板供给干燥用的气体使所述基板干燥的工序。

4.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

进行所述处理的工序包括向所述液体供给超声波的工序。

5.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

进行所述处理的工序包括进行所述基板的温度调节的工序。

6.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

进行所述蚀刻处理的情况下的所述液体由含有氟化氢的溶液构成。

7.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

进行所述蚀刻处理的情况下的所述气体由含有碳和氟的气体构成。

8.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

进行所述成膜处理的情况下的所述液体由含有金属盐、络合剂和还原剂的溶液构成。

9.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

进行所述处理的工序在使所述基板的被处理面朝向下方的情况下被进行。

10.一种半导体制造装置，其是用于对形成有规定的图案的半导体装置制造用的基板进行蚀刻处理或成膜处理的半导体制造装置，其中，该规定的图案是由开口形成的图案，该半导体制造装置的特征在于，包括：

在内部设置有用于载置所述基板的载置部的处理容器；

一端与所述处理容器连接的液体供给通路；

设置在所述液体供给通路中间，令气体与供给到该液体供给通路的液体混合而在该液体中产生带电的纳米泡的纳米泡产生装置；

为了将从所述液体供给通路供给到所述处理容器内的液体中的纳米泡引至载置于所述载置部的所述基板的表面而形成电场的电场形成单元；和

用于从所述处理容器排出所述液体的液体排出通路，其中，

所述液体和所述气体的至少一方含有参与蚀刻处理或成膜处理的成分。

11.如权利要求10所述的半导体制造装置，其特征在于，还包括：

与所述处理容器连接，并向载置于所述处理容器内的载置部上的基板供给洗涤液的洗涤液供给部。

12.如权利要求11所述的半导体制造装置，其特征在于，还包括：

气体供给部，其与所述处理容器连接，并向由洗涤液洗涤后的基板供给干燥用的气体，该洗涤液是从所述洗涤液供给部供给的洗涤液。

13.如权利要求10所述的半导体制造装置，其特征在于：

在所述处理容器中设置有超声波供给单元，该超声波供给单元用于向供给到所述处理容器内的液体供给超声波。

14.如权利要求10所述的半导体制造装置，其特征在于：

在所述处理容器内设置有用于对载置于所述载置部上的基板的温度进行调节的温度调节单元。

15.如权利要求10所述的半导体制造装置，其特征在于：

在所述处理容器和所述纳米泡产生装置之间设置有用于调整所述纳米泡的粒径的过滤器。