[发明专利]半导体装置的制造方法、半导体制造装置和存储介质

说明书

关联申请的相互参照

本申请要求2007年1月10日提出的日本专利申请2007-2733号的优先权，在本申请中，该日本专利申请2007-2733号的所有内容均作为参考被引入。

技术领域

本发明涉及一种半导体装置的制造方法、半导体制造装置和存储有该制造方法的存储介质，该半导体装置的制造方法向处理容器内的基板供给液体和气体，对上述基板进行成膜处理或蚀刻处理，其中，该液体和气体中的至少一方含有参与蚀刻处理或成膜处理的成分。

背景技术

在半导体装置的制造方法中，为了对基板进行成膜处理或蚀刻处理，例如进行使处理气体等离子体化、利用该等离子体进行基板的处理的干式工艺即等离子体处理。在该等离子体处理中，通过使处理气体等离子体化，并向基板引入该等离子体，能够得到高的各向异性，并且在开口部的狭窄的图案内部也能够进行处理，但是与此相反，其处理速度慢，工艺需要长时间，希望对其改善。另外，由于异常放电和因等离子体而使基板带电的充电损伤等而使器件遭到破坏正成为严重的问题。

另外，该类等离子体处理是在高真空的处理容器内进行的，因此需要干式真空泵或涡轮分子泵等昂贵的周边设备。进一步，需要使处理容器成为耐压结构，且随着基板的面积增大，处理容器也会大型化，因此，今后装置的制造成本会日益提高。

进一步，因基板的大面积化，使得难以维持多个基板之间以及基板的面内的处理均匀性，需要研究与等离子体处理方法等干式工艺不同的处理方法。

另一方面，例如在将基板浸渍于处理液中进行处理的湿式工艺中，能够在基板的面内得到处理的高均匀性，也不存在因带电而导致的装置破坏等问题。另外，该类湿式工艺是在常压下进行的，因此也有能够以低廉的成本制造设备的优点。但是，因为反应通过处理液各向同性地进行，所以难以形成需要各向异性的处理，例如难以通过蚀刻形成具有高纵横尺寸比的图案。另外，因为难以使处理液流通到狭窄的开口部内，所以不能够应用于在该类图案内埋入材料的成膜处理。

另一方面，日本特开2004-121962((0031)～(0037))中，记载有使用微米或纳米的尺寸的气泡即所谓的微泡(纳米泡)洗涤工业设备等的技术，另外，在日本特开2005-245817((0012)～(0013))中，记载有稳定地制造该纳米泡的技术，但是两者都并未提及上述课题的具体的解决方法。

发明内容

本发明是鉴于此种情况而完成的，其目的在于提供一种半导体装置的制造方法、半导体制造装置和存储有能够实施该制造方法的程序的存储介质，该半导体装置的制造方法在对半导体装置制造用的基板进行蚀刻处理或成膜处理时，能够发挥干式工艺的优点，并能够得到湿式工艺的优点。

本发明的半导体装置的制造方法，是对于形成有基于开口的规定的图案的半导体装置制造用的基板，进行蚀刻处理或成膜处理的半导体装置的制造方法，其包括：

将液体和气体混合，在上述液体中产生直径比上述半导体装置制造用的基板上形成的上述开口的尺寸更小、且通过液体和气体的混合而带电的纳米泡的工序，其中，该液体和气体的至少一方含有参与蚀刻处理或成膜处理的成分；

为了将上述纳米泡引至上述基板的表面而形成电场的工序；和

形成上述电场，同时向上述基板供给含有上述纳米泡的液体并进行处理的工序。

上述参与蚀刻处理或成膜处理的成分，是指在蚀刻处理时或在成膜处理时生成起到活性种作用的物质的成分。另外，用于将上述纳米泡引至上述基板的表面的电场，在从上述基板侧看时，是用于将上述纳米泡引至基板侧的电场，而从与基板相对的一侧看时，是用于将上述纳米泡推至基板的电场。

在本发明的半导体装置的制造方法中，优选还包括在进行上述处理的工序之后进行的、向上述基板供给洗涤液对上述基板进行洗涤的工序。

在本发明的半导体装置的制造方法中，优选还包括在进行上述洗涤的工序之后进行的、向上述基板供给干燥用的气体使上述基板干燥的工序。

在本发明的半导体装置的制造方法中，优选进行上述处理的工序包括向上述液体供给超声波的工序。

在本发明的半导体装置的制造方法中，优选进行上述处理的工序包括进行上述基板的温度调节的工序。

在本发明的半导体装置的制造方法中，优选进行上述蚀刻处理的情况下的上述液体由含有氟化氢的溶液构成。

在本发明的半导体装置的制造方式中，优选进行上述蚀刻处理的情况下的上述气体由含有碳和氟的气体构成。