[发明专利]编程非易失性存储器装置

权利要求书

1.一种用于编程包括多个存储器单元的非易失性存储器阵列的方法，每一单元 适于将数据存储在下部页和上部页中，所述方法包括：

编程所述存储器阵列的预定存储器单元以便将第一预定数据编程于所述 下部页中且将第二预定数据编程于所述上部页中；以及

仅对所述预定存储器单元的具有最宽阈值电压分布的逻辑状态的上部页 以所述第二预定数据进行再编程。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述预定存储器单元包括所述存储器阵列 的存储器区块。

3.根据权利要求1所述的方法，其中编程所述预定存储器单元包括：

以所述第一预定数据编程所述预定存储器单元的所述下部页；以及

在所述下部页经编程之后以所述第二预定数据编程所述预定存储器单元 的所述上部页。

4.根据权利要求1所述的方法，编程所述预定存储器单元包括将每一预定存储 器单元的阈值电压从对应于经擦除状态的阈值电压增加到对应于预定经编 程状态的阈值电压。

5.根据权利要求1所述的方法，且其进一步包括在每一编程之后执行检验。

6.根据权利要求2所述的方法，其中以预定编程序列编程所述下部页和所述上 部页。

7.根据权利要求6所述的方法，其中所述预定编程序列包括编程页0-9、再编 程页4和5、编程页10-13、再编程页8和9、编程页14-17、再编程页12 和13，以及针对所述存储器区块重复此序列，其中页4、5、8、9、12、13、 16和17是所述存储器阵列的两个相邻位线的上部页，页0、1、2、3、6、 7、10、11、14和15是所述存储器阵列的两个相邻位线的下部页。

8.根据权利要求6所述的方法，其中所述预定编程序列包括编程页0-7、再编 程页1、再编程页3、编程页8-11、再编程页5、再编程页7，以及针对所述 存储器区块重复此序列，其中页1、3、5、7、9和11是所述存储器阵列的 两个相邻位线的上部页，页0、2、4、6、8和10是所述存储器阵列的两个 相邻位线的下部页。

9.根据权利要求6所述的方法，其中同时编程所述存储器区块的奇页和偶页， 以便以第一数据位编程所述存储器阵列的两个邻近位线的所述下部页，且以 第二数据位编程所述两个邻近位线的所述上部页。

10.根据权利要求9所述的方法，其中所述预定编程序列包括编程页0-4、再编 程页2、编程页5和6、再编程页4、编程页7和8、再编程页6、编程页9 和10、再编程页8，以及针对所述存储器区块重复此序列，其中页2、4、6、 8和10是所述存储器阵列的两个相邻位线的上部页，页0、1、3、5、7和9 是所述存储器阵列的两个相邻位线的下部页。

11.根据权利要求9所述的方法，其中所述预定编程序列包括编程页0-3、再编 程页1、编程页4-5、再编程页3、编程页6和7、再编程页5，其中页1、3、 5、7和9是所述存储器阵列的两个相邻位线的上部页，页0、2、4、6和8 是所述存储器阵列的两个相邻位线的下部页。

12.一种非易失性存储器装置，其包括：

非易失性存储器阵列，其包括多个存储器单元，每一单元适于将数据存储 在下部页和上部页中；以及

控制器电路，其耦合到所述存储器阵列以用于控制所述阵列的操作，所述 控制器电路适于编程所述存储器阵列的预定存储器单元，以便将第一预定数 据编程于所述下部页中且将第二预定数据编程于所述上部页中，且所述控制 器进一步适于仅对所述预定存储器单元的具有最宽阈值电压分布的逻辑状 态的上部页以所述第二预定数据进行再编程。

13.根据权利要求12所述的装置，其中所述非易失性存储器装置是与非快闪存 储器装置。