[发明专利]成膜装置、成膜方法、计算机程序和存储介质

权利要求书

1.一种成膜方法，其特征在于，包括：

向能够抽真空的处理容器内搬送被处理体的工序；和

向处理容器内至少供给含有过渡金属的含过渡金属原料气体和还原气体，并加热被处理体，通过热处理在被处理体的表面形成薄膜的工序。

2.如权利要求1所述的成膜方法，其特征在于：

向处理容器内供给含有铜的含铜原料气体、含有过渡金属的含过渡金属原料气体和还原气体，并加热被处理体，通过热处理在被处理体的表面形成薄膜。

3.如权利要求1所述的成膜方法，其特征在于：

所述热处理是CVD(化学气相沉积)法。

4.如权利要求1所述的成膜方法，其特征在于：

所述热处理是交替反复供给所述原料气体和所述还原气体、进行成膜的ALD(原子层沉积)法。

5.如权利要求2所述的成膜方法，其特征在于：

所述热处理隔着间歇期交替反复供给所述两种原料气体，并在所述间歇期时供给所述还原气体。

6.如权利要求1所述的成膜方法，其特征在于：

在形成有所述薄膜的被处理体上，通过CVD法堆积铜膜，进行所述被处理体的凹部的填埋处理。

7.如权利要求6所述的成膜方法，其特征在于：

所述填埋处理在形成所述薄膜后的处理容器内进行。

8.如权利要求6所述的成膜方法，其特征在于：

进行所述填埋处理后，对所述被处理体进行退火处理。

9.如权利要求8所述的成膜方法，其特征在于：

所述退火处理在形成所述薄膜后的处理容器内进行。

10.如权利要求1所述的成膜方法，其特征在于：

在形成有所述薄膜的被处理体上，通过电镀法堆积铜膜，进行所述被处理体的凹部的填埋处理。

11.如权利要求10所述的成膜方法，其特征在于：

进行所述被处理体的凹部的填埋处理后，对所述被处理体进行退火处理。

12.如权利要求2所述的成膜方法，其特征在于：

在所述热处理的途中，使所述含铜原料气体和/或所述含过渡金属原料气体的供给量改变，用以使所述薄膜中的铜与过渡金属的组成比在所述薄膜的膜厚方向上变化。

13.如权利要求12所述的成膜方法，其特征在于：

对所述各原料气体的供给量进行控制，使得所述薄膜中的所述过渡金属的组成比在所述薄膜内的下层侧大，越向上层侧变得越小。

14.如权利要求1所述的成膜方法，其特征在于：

所述薄膜中所含的所述过渡金属的量，换算成所述过渡金属的纯金属的膜厚为0.7～2.6nm的范围内。

15.如权利要求1所述的成膜方法，其特征在于：

所述处理体的表面成为所述薄膜的底膜，该底膜由选自SiO₂膜、SiOC膜、SiCOH膜、SiCN膜、多孔二氧化硅膜、多孔甲基硅倍半氧烷膜、聚丙炔膜、SiLK(注册商标)膜和碳氟膜中的一种以上的膜构成。

16.如权利要求1所述的成膜方法，其特征在于：

所述含过渡金属原料气体的含过渡金属原料由有机金属材料或金属配位化合物材料构成。

17.如权利要求16所述的成膜方法，其特征在于：

所述有机金属材料是M(R-Cp)_x，其中，x是自然数；M表示过渡金属；R表示烷基，是选自H、CH₃、C₂H₅、C₃H₇、C₄H₉中的一种；Cp是环戊二烯基(C₅H₄)。