[发明专利]半导体熔丝结构及制造半导体熔丝结构的方法

权利要求书

1.一种半导体熔丝结构，包括具有表面的衬底(1)，该衬底(1)在表面处具有场氧化物区(3)，该熔丝结构还包括熔丝本体(5)，熔丝本体(FB)包括多晶硅(PLY，PLYS)，熔丝本体(FB)位于场氧化物区(3)上方并且沿着电流流动的方向(CF)延伸，其中通过使电流流经熔丝本体(FB)而使熔丝结构可编程，其特征在于所述熔丝本体(FB)沿着电流流动的方向(CF)具有拉伸应变，并且沿着与衬底的所述表面垂直的方向(Z)具有压缩应变。

2.根据权利要求1所述的半导体熔丝结构，其特征在于所述熔丝本体(FB)包括第一子层和第二子层(11)，第一子层包括多晶硅(PLY，PLYS)，第一子层位于场氧化物区(3)上方，第二子层(11)包括硅化物，第二子层(11)位于第一子层上方。

3.根据权利要求1或2所述的半导体熔丝结构，其特征在于拉伸应变层(7)至少覆盖熔丝本体(FB)、以及衬底(1，3)的一部分，以便沿着与所述表面垂直的方向(Z)在熔丝本体(FB)中形成压缩应变。

4.一种包括根据权利要求1所述的半导体熔丝结构的集成电路。

5.一种制造熔丝结构的方法，该熔丝结构包括熔丝本体，所述方法包括以下步骤：

提供具有表面的衬底(1)，该衬底(1)包括位于表面处的场氧化物区(3)；

设置第一层(5)，该第一层包括至少位于场氧化物区(3)中的多晶硅(PLY)；

对第一层(5)形成图案，从而在场氧化物区(3)中至少形成熔丝本体(FB)，该熔丝本体(FB)沿着电流流动的方向(CF)延伸；

对第一层(5)执行非晶化注入(20)，从而将至少熔丝本体的多晶硅(PLY)转变成非晶硅(AM)；

采用应变层(7)覆盖衬底(1)和熔丝本体(FB)，其中应变层(7)是低应变或拉伸应变层，沿着与表面垂直的方向(Z)在熔丝本体(FB)中产生压缩应变，并进而沿着电流流动的方向(CF)在熔丝本体中产生拉伸应变；

执行尖峰脉冲退火，使得熔丝本体(FB)中的非晶硅(AMS)再结晶成保持至少一部分应变的多晶硅(PLYS)；以及

在熔丝本体(FB)的两个侧壁上设置间隔物(9)。

6.根据权利要求5所述的制造熔丝结构的方法，其特征在于在设置间隔物(9)的步骤之前，去除应变层(7)。

7.根据权利要求5或6所述的制造熔丝结构的方法，其特征在于所述方法包括在采用应变层(7)覆盖衬底和熔丝本体(FB)的步骤之前，或者在去除应变层(7)之后，在熔丝本体(FB)上形成硅化物(11)的步骤。

8.一种制造包括熔丝本体的熔丝结构的方法，所述方法包括以下步骤：

提供具有表面的衬底(1)，该衬底(1)包括位于表面处的场氧化物区(3)；

提供第一层(5)，该第一层包括至少位于场氧化物区(3)中的多晶硅(PLY)；

对第一层(5)形成图案，从而在场氧化物区(3)中至少形成熔丝本体(FB)，该熔丝本体(FB)沿着电流流动的方向(CF)延伸；

在熔丝本体(FB)的两个侧壁上提供间隔物(9)；以及

采用应变层(7)覆盖衬底、熔丝本体(FB)和间隔物(9)，其中应变层(7)是拉伸应变层，沿着与表面垂直的方向(Z)在熔丝本体(FB)中产生压缩应变，并进而沿着电流流动的方向(CF)在熔丝本体(FB)中产生拉伸应变。

9.根据权利要求8所述的制造熔丝结构的方法，其特征在于所述方法包括在采用应变层(7)覆盖衬底(1)、熔丝本体(FB)和间隔物(9)的步骤之前，在熔丝本体(FB)上形成硅化物(11)的步骤。