[发明专利]半导体芯片、应答机以及制造应答机的方法有效
申请号: | 200780021331.1 | 申请日: | 2007-05-16 |
公开(公告)号: | CN101467162A | 公开(公告)日: | 2009-06-24 |
发明(设计)人: | 克里斯蒂安·舍尔伯;安东·赛尔费尔纳;沃尔夫冈·施泰因鲍尔;杰西姆·斯考伯 | 申请(专利权)人: | NXP股份有限公司 |
主分类号: | G06K19/077 | 分类号: | G06K19/077 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 朱进桂 |
地址: | 荷兰艾*** | 国省代码: | 荷兰;NL |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 芯片 应答 以及 制造 方法 | ||
1.一种用于应答机(3,93)的半导体芯片,包括:
具有表面(5)的芯片衬底(4);
安置在所述表面(5)上的芯片端子(6,7);
钝化层(22),覆盖所述表面(5),并完全覆盖所述芯片端子(6,7), 使得带有天线端子(24,25)的天线(2,30)能够在所述芯片端子(6, 7)的上方被附着于所述芯片(1,91),使所述芯片端子(6,7)、所述钝 化层(22)和所述天线端子(24,25)形成第一组电容器;以及
电连接至所述天线端子(24,25)的第一组凸起(16,17);所述第 一组凸起(16,17)在所述芯片端子(6,7)上方被沉积于所述钝化层(22) 上。
2.根据权利要求1所述的芯片,包括:导电区(8-11),所述导电区 位于所述表面(5)上并由所述钝化层(22)完全覆盖,当所述天线(2, 30)附着于所述芯片(1,91)时,所述导电区(8-11)与所述天线(2, 30)通过第二组凸起(18-21)和钝化层(22)形成第二组电容器;和/或 所述导电区(8-11)与导电迹线(31)通过第二组凸起(18-21)和钝化层 (22)形成第三组电容器,其中,所述导电迹线(31)沉积在所述天线(2, 30)的衬底上;
其中,所述第二组凸起(18-21)电连接至所述天线(2,30)和/或所 述导电迹线(31),并且所述第二组凸起(18-21)在所述导电区(8-11) 上方被沉积于所述钝化层(22)上。
3.根据权利要求2所述的芯片,其中,所述导电区(8-11)中至少一 个导电区电连接至所述芯片端子(6,7),或者所述导电区(8-11)中至少 一些导电区相互电连接。
4.根据权利要求2所述的芯片,包括:开关(12-15),用于将所述导 电区(8-11)中至少一个导电区电连接至所述芯片端子(6,7),或用于使 所述导电区(8-11)中至少一些导电区相互电连接。
5.根据权利要求2所述的芯片,其中,所述导电区(8-11)设置成使 其相应的第二组电容器形成二进制步进电容器。
6.一种应答机,包括:
芯片(1,91),其包括:
具有表面(5)的芯片衬底(4);
安置在所述表面(5)上的芯片端子(6,7);
钝化层(22),覆盖所述表面(5),并完全覆盖所述芯片端子(6, 7),使得带有天线端子(24,25)的天线(2,30)能够在所述芯片端子 (6,7)的上方被附着于所述芯片(1,91),使所述芯片端子(6,7)、 所述钝化层(22)和所述天线端子(24,25)形成第一组电容器;以及
电连接至所述天线端子(24,25)的第一组凸起(16,17);所 述第一组凸起(16,17)在所述芯片端子(6,7)上方被沉积于所述钝化 层(22)上;以及
天线(2,30),带有天线端子(24,25),所述天线在所述芯片端子 (6,7)的上方被附着于所述芯片(1,91),使所述芯片端子(6,7)、 所述钝化层(22)和所述天线端子(24,25)形成所述第一组电容器。
7.根据权利要求6所述的应答机,其中,所述芯片包括:导电区(8-11), 所述导电区位于所述表面(5)上并由所述钝化层(22)完全覆盖,当所 述天线(2,30)附着于所述芯片(1,91)时,所述导电区(8-11)与所 述天线(2,30)通过第二组凸起(18-21)和钝化层(22)形成第二组电 容器;和/或所述导电区(8-11)与导电迹线(31)通过第二组凸起(18-21) 和钝化层(22)形成第三组电容器,其中,所述导电迹线(31)沉积在所 述天线(2,30)的衬底上;
其中,所述第二组凸起(18-21)电连接至所述天线(2,30)和/或所 述导电迹线(31),并且所述第二组凸起(18-21)在所述导电区(8-11) 上方被沉积于所述钝化层(22)上。
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