[发明专利]块体金属玻璃焊料、发泡块体金属玻璃焊料、芯片封装中的发泡焊料接合垫、装配其的方法及包含其的系统无效
申请号: | 200780022560.5 | 申请日: | 2007-06-12 |
公开(公告)号: | CN101473424A | 公开(公告)日: | 2009-07-01 |
发明(设计)人: | Y·闵;D·苏 | 申请(专利权)人: | 英特尔公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 柯广华;王丹昕 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 块体 金属 玻璃 焊料 发泡 芯片 封装 中的 接合 装配 方法 包含 系统 | ||
技术领域
实施例一般涉及集成电路制造。更具体地说,实施例涉及集成电 路制造中的电连接。
背景技术
电连接是封装的集成电路(IC)的重要部分。IC管芯经常制造成诸 如处理器等微电子设备。电连接在IC管芯操作期间遇到热应力。此 外,在制造和处理期间,封装的IC管芯可遇到会损害电连接完整性 的物理震击(shock)。
附图说明
为示出获得实施例的方式,将参照附图中示出的特定实施例,提 供上面简要描述的实施例的更详细描述。基于对这些图形只是示出典 型实施例,而这些典型实施例不必按比例画出且因此不可视为限制其 范围的理解,将通过使用附图以另外的细节和详情描述实施例,其中:
图1是根据实施例,包括发泡(foamed)接合垫的物品的垂直横截 面;
图2是根据实施例,包括发泡接合指(bond finger)和迹线的物 品的垂直横截面;
图3是根据实施例,包括发泡接合垫和电凸块的物品的垂直横截 面;
图4是根据实施例,包括发泡金属化互连的物品的垂直横截面;
图5是根据实施例,包括发泡接合垫和电凸块,也包括作为焊料 壳中发泡焊料核的电凸块的物品的垂直横截面;
图6是根据实施例,包括布置在焊料衬底第二材料上的发泡焊料 核第一材料的物品的垂直横截面;
图7是根据实施例,形成发泡BMG的工艺示图;
图8是根据各种实施例,描述工艺流程的流程图;
图9是根据实施例,形成多孔BMG电连接的工艺示图;
图10是根据实施例,加工BMG前驱物的工艺流程图;
图11是根据实施例,示出计算系统的剖面透视图(cut-away perspective);以及
图12是根据实施例的计算系统的示图。
具体实施方式
此公开内容中的实施例涉及在集成电路(IC)中使用的块体金属玻 璃(BMG)。实施例也涉及用于形成闭孔和网状块体金属玻璃焊料的块 体金属玻璃的发泡焊料冶金。
下面的说明包括只用于描述性目的而可视为限制的术语,如上部、 下部、第一、第二等。本文所述设备或物品的实施例可在多个位置和 定向中制造、使用或发运。术语“管芯”和“芯片”一般指物理对象 是通过各种工艺操作转换成所需集成电路设备的基本工件。管芯通常 从晶片分离而成,并且晶片可由半导体、非半导体或半导体与非半导 体材料的组合形成。板一般是充当用于管芯的安装衬底的树脂浸渍光 纤玻璃结构。
公开内容涉及至少发泡电连接或BMG电连接之一。块体金属玻 璃基本上是金属成分,但不形成象常规金属一样的金属晶格。在一个 实施例中,电连接是接合垫。在一个实施例中,电连接是电凸块。在 一个实施例中,电连接是金属化互连。在一个实施例中,电连接是迹 线。在此公开内容通篇中,宏观结构构型中的电连接可包括至少发泡 电连接或BMG电连接之一。
在一个实施例中,电连接是BMG材料。在一个实施例中,BMG 是含锆BMG类型。在一个实施例中,BMG是含锆铝BMG类型。选 定但非详尽的含锆铝BMG包括ZrAlCuO、ZrAlNiCuO、ZrTiAlNiCuO、 ZrAlNiCu(Cr,Mo)、ZrAlNiCu(Ag,Pd,Au,Pt)、ZrAlNiCu(Nb,Ta,V)、 ZrAlNi(Ag,Pd,Au,Pt)、ZrAlCuPd和ZrAlCu(Pd,Au,Pt)。表1示出锆 铝BMG实施例的示例。
表1-ZrAl BMG
示例 成分
1 Zr65Al7.5Cu27.5+O
2 Zr65Al7.5Ni10Cu17.5+O
3 Zr65Ti3Al10Ni8Cu20+O
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造