[发明专利]O-去甲基文拉法辛晶型

权利要求书

1.一种制备以X-射线粉末衍射图在约12.1，13.2，15.9和20.4°2θ ±0.2°2θ处具有峰为特征的晶型O-去甲基文拉法辛的方法，所述方法 包括从选自乙醇、四氢呋喃(THF)、异丙醇(IPA)和IPA与水混合物的 溶剂中结晶。

2.权利要求1的方法，其中所述溶剂为无水乙醇。

3.权利要求1和2中任一项的方法，其中所述溶剂为乙醇，该

方法进一步包括用适当的洗涤液进行洗涤。

4.权利要求3的方法，其中所述洗涤液是C₅-C₈烃。

5.权利要求4的方法，其中所述洗涤液是庚烷。

6.权利要求1至5中任一项的方法，其中结晶包括

a)将O-去甲基文拉法辛起始原料和选自乙醇、四氢呋喃(THF)、

异丙醇(IPA)和IPA与水混合物的溶剂组合以形成混合物；

b)在一定温度下加热混合物足够的时间，以获得溶解液；和

c)回收晶体O-去甲基文拉法辛。

7.权利要求6的方法，其中所述混合物的加热温度为约50℃至 约100℃。

8.权利要求7的方法，其中所述混合物的加热温度为约60℃至 约80℃。

9.权利要求6的方法，其中所述加热步骤包括回流足够的时间， 以实现O-去甲基文拉法辛起始原料的完全溶解。

10.权利要求6的方法，其中所述加热步骤包括蒸发溶剂。

11.权利要求1至10中任一项的方法，其中晶型O-去甲基文拉 法辛的特征还在于：FTIR光谱在约844，1276，1517和1619cm^-1处具 有峰。

12.权利要求11的方法，其中FTIR光谱还在1148，1240，1447， 1460，2834，2939cm^-1处具有峰。

13.权利要求12的方法，其中FTIR光谱基本如图1所示。

14.一种晶型O-去甲基文拉法辛，其特征在于：X-射线粉末衍射 图在约13.1，16.2，19.8，20.6和22.2°2θ±0.2°2θ处具有峰。

15.权利要求14的晶型O-去甲基文拉法辛，其特征还在于：X- 射线粉末衍射图在12.2，15.6和26.2°2θ±0.2°2θ处具有峰。

16.权利要求15的晶型O-去甲基文拉法辛，其特征还在于：粉 末X-射线衍射图基本如图3所示。

17.一种晶型O-去甲基文拉法辛，其特征在于：X-射线粉末衍射 图在12.2，13.3，18.1和19.7°2θ±0.2°2θ处具有峰。

18.权利要求17的晶型O-去甲基文拉法辛，其特征还在于：X- 射线粉末衍射图在22.5，25.3和28.7°2θ±0.2°2θ处具有峰。

19.权利要求18的晶型O-去甲基文拉法辛，其特征还在于：粉 末X-射线衍射图基本如图4所示。

20.一种制备权利要求14至17中任一项的晶型O-去甲基文拉法 辛的方法，其包括使O-去甲基文拉法辛从高沸点溶剂中结晶。

21.权利要求20的方法，其中所述高沸点溶剂是甲苯。

22.权利要求20和21中任一项的方法，其包括：

a)通过加热起始原料O-去甲基文拉法辛在高沸点溶剂中的悬浮 液，使O-去甲基文拉法辛或其盐溶于高沸点溶剂；

b)将溶液冷却至约15℃至约30℃的温度；

c)使冷却后的溶液保持在约15℃至约30℃的温度；和任选地

d)回收晶体O-去甲基文拉法辛。

23.权利要求22的方法，其中所述悬浮液被加热至回流。