[发明专利]包括具有低电压读/写操作的存储器的集成电路有效
申请号: | 200780024544.X | 申请日: | 2007-04-19 |
公开(公告)号: | CN101479803A | 公开(公告)日: | 2009-07-08 |
发明(设计)人: | 普拉桑特·U·肯卡雷;安德鲁·C·拉塞尔;大卫·R·彼阿登;詹姆斯·D·伯内特;特洛伊·L·库柏;张沙彦 | 申请(专利权)人: | 飞思卡尔半导体公司 |
主分类号: | G11C7/00 | 分类号: | G11C7/00 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 陆锦华;穆德骏 |
地址: | 美国得*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 包括 具有 电压 操作 存储器 集成电路 | ||
1.一种集成电路,包括:
处理器;
以行和列来组织并且耦合到所述处理器的多个存储器单元,其中, 存储器单元的行包括字线并且所有的所述存储器单元耦合到所述字 线,以及其中,存储器单元的列包括位线并且所有所述存储器单元耦 合到所述位线,其中所述多个存储器单元的每一个具有写容限和读容 限,其中所述写容限大于所述读容限,并且其中通过设置所述存储器 单元存取晶体管相对于存储器单元上拉晶体管的传导系数比使得所述 写容限大于所述读容限;以及
用于接收第一电源电压的第一电源电压节点和用于接收第二电源 电压的第二电源节点,其中,提供所述第一电源电压以向所述处理器 供电,并且其中,提供所述第一电源电压,以在所述多个存储器单元 的第一存取操作期间,向全部所述多个存储器单元或向所述多个存储 器单元的至少一个供电,并且其中,提供所述第一电源电压或所述第 二电源电压,以在所述多个存储器单元的第二存取操作期间,向所述 多个存储器单元供电。
2.根据权利要求1所述的集成电路,其中,所述第一存取操作是 写操作,并且所述第二存取操作是读操作。
3.根据权利要求1所述的集成电路,还包括复用电路,所述复用 电路包括耦合到所述第一电源电压节点的第一输入端、耦合到所述第 二电源节点的第二输入端,以及耦合到至少一个所述多个存储器单元 的输出端。
4.根据权利要求3所述的集成电路,其中,在所述多个存储器单 元的待机模式期间,所述复用电路将低于所述第一电源电压的电压提 供至所述多个存储器单元。
5.根据权利要求1所述的集成电路,还包括放电电路,该放电电 路耦合到每个存储器单元的存储器单元供电电压节点,所述放电电路 用于在所述第一存取操作的第一部分期间,将用于选定列的存储器单 元的所述存储器单元供电电压节点上的电压降低至低于所述第一电源 电压的电压。
6.根据权利要求5所述的集成电路,其中,所述存储器单元供电 电压节点上的电压等于所述第一电源电压减去阈值电压降。
7.根据权利要求1所述的集成电路,还包括电压提升电路,该电 压提升电路耦合至每个存储器单元的存储器单元供电电压节点,所述 电压提升电路用于在所述第二存取操作的第一部分期间,将所述存储 器单元供电电压节点上的电压从所述第一电源电压增加至所述第二电 源电压。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于飞思卡尔半导体公司,未经飞思卡尔半导体公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200780024544.X/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。